三星电子、SK 海力士，HBM 预计出货 300 亿 Gb。

三星电子、SK 海力士高带宽内存（HBM）出货量预计今年仍将实现大幅增长。据观测，受益于英伟达、博通、AMD 等客户的需求，三星电子的 HBM 出货量将突破 100 亿 Gb。而 SK 海力士尽管近期面向英伟达供应的 HBM4 陷入性能争议，但市场普遍认为，该公司在满足合理性能区间的产品供应方面不存在问题。整体来看，两家企业年初设定的 HBM 出货量目标预计不会出现重大调整。

业内消息显示，三星电子与 SK 海力士今年 HBM 出货量按容量合计预计将达到 300 亿 Gb。

三星电子 HBM 出货量有望突破 100 亿 Gb

三星电子已设定目标，今年 HBM 产量较去年扩大 3 倍以上。三星电子内存开发负责人黄相俊副社长在 GTC 2026 上表示：" 我们正在快速扩大 HBM 产能，计划今年产量较去年提升 3 倍以上。" 据估算，三星电子去年 HBM 总出货量约为 40 亿 Gb。以此推算，今年出货量目标将达到 110 亿 Gb 左右。

事实上，三星电子在去年底制定今年 HBM 业务战略时，就对这一增长态势抱有信心。原因是其下一代产品 HBM4 获得了英伟达的积极反馈，与 AMD、博通等其他客户的供应协商也已进入收尾阶段。博通为谷歌、OpenAI 等科技巨头代工 AI 芯片。预计英伟达将成为三星电子 HBM4 的最大客户。

三星电子 HBM 的核心芯片采用 1c DRAM，承担控制器功能的基底裸片则采用自家代工 4 纳米工艺，两款裸片的工艺精度均优于竞争对手。基于此，三星电子被认为率先满足了英伟达提高的 HBM4 性能标准。原本 JEDEC（国际半导体标准化组织）制定的 HBM4 标准为 8Gbps 级别，而英伟达将要求提升至 11.7Gbps。

在 HBM3E 产品方面，博通是最大客户。谷歌自研 AI 芯片 TPU 搭载 HBM，据悉今年将大幅扩大基于 HBM3E 的 v7p 版本采购量。

不过业内认为，三星电子 HBM 出货量进一步提升的可能性并不高。截至今年年底，三星可获得的 1c DRAM 产能约为月产 13 万片，其中大部分已分配给 HBM，难以再获得额外产能。

SK 海力士虽陷性能争议，出货量计划维持不变

SK 海力士今年 HBM 出货量预计将达到 200 亿 Gb 左右，较去年（约 120 亿 Gb）增长约 60%，其中约三分之二分配给英伟达。公司计划上半年主力供应 HBM3E，下半年起扩大 HBM4 供应量。

近期 SK 海力士陷入市场担忧：其面向英伟达的 HBM4 供应可能受阻，原因是难以满足英伟达上调后的 HBM4 性能要求。SK 海力士 HBM4 的核心芯片采用 1b DRAM，基底裸片采用台积电 12 纳米工艺，工艺相比三星更偏成熟制程。实际上，SK 海力士 HBM4 在与 AI 加速器整合的 2.5D 封装测试中，未能达到最高性能指标，核心原因被认为是电力无法稳定传输到核心裸片最上层。对此，SK 海力士正通过修改部分电路进行改进。

但业内预计，SK 海力士面向英伟达的 HBM 供应量基本不会偏离原计划。原因是英伟达虽将 HBM4 最高性能要求提至 11.7Gbps，但同时也采购 10Gbps 等较低性能版本。若只采用最高规格产品，可能无法充分量产其最新高端 AI 芯片 "Vera & Rubin"。

SK 海力士社长郭鲁正也在近期公司年度股东大会上表示：" 虽与客户协商对产品结构做了小幅调整，但整体 HBM 出货量计划没有重大变化。"

一位半导体业内人士表示：" 随着 HBM4 进入商用阶段，各种性能与客户相关的问题不断出现，但三星电子和 SK 海力士均未大幅调整原定 HBM 出货目标。由于 HBM 整体供应能力远低于需求，市场普遍认为两家产品都将保持热销。"