快科技 3 月 31 日消息，据媒体报道，Rapidus 总裁兼首席执行官小池淳義表示，正在加速推进先进制程技术的研发，目标是在 1nm 工艺节点上将与台积电的技术差距缩小到大约 6 个月。

据了解，台积电的 1.4nm 和 1nm 工艺可能会率先部署在中国台湾中部科学园区，名为 Fab 25，预计投资约 490 亿美元，计划建设四座晶圆厂。

其中第一阶段的两座晶圆厂专门用于 1.4nm 工艺，预计 2028 年下半年量产，第二阶段再推进到 1nm 工艺。传闻台积电将在 1nm 工艺节点首次使用 High-NA EUV 光刻机，相关开发工作预计在 2030 年前完成，并大约在 2030 年实现量产。

与此同时，Rapidus 计划今年开始开发 1.4nm 工艺，量产时间预计为 2029 年，有可能与三星的时间点较为接近。若要在 1nm 工艺上将与台积电的差距缩小至 6 个月，意味着 Rapidus 很可能需要在 2030 年下半年至 2031 年之间进入量产阶段。

Rapidus 是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于 2022 年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。

目前，Rapidus 已在日本北海道千岁市建造了创新集成制造工厂（IIM-1），目标是 2027 年量产 2nm 芯片。

此外，Rapidus 还计划在 2027 财年（2027 年 4 月至 2028 年 3 月）开建第二座晶圆厂，并规划更先进的 1.4nm 乃至 1nm 工艺。