7 月 14 日，晶圆代工厂力积电披露 2026 年二季度业绩，该公司总经理朱宪国在业绩说明会上表示，公司自 7 月起将存储代工报价上调 45%，提价效应预计 11 月起反映在营收上，同时 8 吋与 12 吋逻辑代工价格亦同步上调 10 至 15%，有望进一步拉动营收、提升盈利，同时提高存储业务在整体营收中的占比。

2026 年二季度，力积电实现营收 172.91 亿新台币，环比增长 27%，同比增长 53%；税后净利润 32.91 亿元新台币，同比扭亏为盈，不过受基数影响环比下滑 77%。本季度毛利率回升至 28%，环比提升 18 个百分点，创下三年半以来新高。

该季度其产能利用率达 87%，虽较一季度的 88% 小幅回落 1 个百分点，但相较去年同期 75% 已大幅回升 16 个百分点。

分产品线来看，存储芯片业务仍是力积电该季度营收主力。DRAM 涨价红利持续释放，该业务营收占比达 46%；闪存（Flash）占比约 6%；3D AI 晶圆代工（含 Interposer、IPD、WoW 等先进封装技术）营收占比由 3.2% 提升至 5.4%；另外，电源管理芯片（PMIC）的营收占比为 15%，分立器件 12%，集成混合信号芯片 3%，图像传感器（CIS）4%，高压工艺芯片 7%。

朱宪国指出，AI 服务器持续消耗全球内存产能，头部云厂商已提前锁定行业未来数年的 DRAM 供应，预估 DRAM 供需缺口将延续至 2027 年。其 2026 年资本支出预算约 4.88 亿美元，资金将聚焦 DRAM 及 3D AI 晶圆代工先进封装相关产能建设，并持续推进 P5 厂稼动率爬坡进度。

朱宪国介绍，公司自主研发的 OneX DRAM 工艺已于 6 月进入小批量试产，现阶段持续推进良率优化与客户认证工作；和美光联合开发的 OneP 工艺计划明年一季度完成设备进场，目标 2028 年年中实现量产，持续推进 DRAM 工艺向更先进节点迭代。

闪存业务受益于 AI 服务器与 AI 终端设备需求拉动，SLC NAND 市场价格持续上涨，NOR Flash 也因供给格局调整迎来增长机遇。朱宪国表示，力积电目前 NOR Flash 月度投片量已突破一万片，还在持续扩充订单，相关产品将逐步导入竞争力更强的 20 纳米工艺，并推出新一代产品。

力积电董事长黄崇仁表示，公司将持续优化产品结构，提高 AI 芯片、车规芯片营收占比，同步完成新竹厂区产线升级与设备整合。随着 3D AI 晶圆代工新品逐步放量，该公司目标三年内将其营收占比从 5% 提升至 20%。

近日，全球两大晶圆代工龙头台积电与三星电子先后启动新一轮调价，涨价潮传导至下游晶圆代工环节。台积电已通知英伟达、苹果、AMD 等核心客户，计划将 3nm、5nm 及 7nm 制程价格上调 5%-10%，覆盖其七成以上晶圆代工营收。三星电子紧随其后，针对 4nm、5nm 先进制程及部分车规 8nm 制程，将新客户供货价格提高约 15%。

据国元证券统计，26H2 全球十大晶圆厂平均稼动率提升至 90%，26H1 代工价格普遍上涨 5%-15%。该机构预计，26Q3 一般型 DRAM 合约价环比增 13%-18%，NAND 合约价环比增 10%-15%。

东海证券表示，与过往良率稳定后价格逐步下调的惯例不同，本轮涨价核心驱动力为 AI 芯片订单持续放量，导致先进制程产能长期满载，叠加 HBM 产能挤占效应与 2nm 等下一代制程研发及设备投资成本走高，市场供需与投资成本分摊正取代工艺成熟度成为定价主导因素，晶圆代工正从 " 抢客户 " 的买方市场向 " 供应商主导定价 " 的卖方市场转变。

该机构进一步称，这一变化将推高 AI 芯片及终端产品制造成本，除晶圆涨价外，HBM 价格攀升与先进封装产能紧缺，预计将共同抬升英伟达、苹果等公司的成本压力，并可能最终传导至 AI 服务器及智能手机等终端产品价格。