文｜周艾琳

编辑｜刘鹏

7 月 27 日登录资本市场的长鑫科技，迎来全球投资者的关注。

腾讯财经获悉，就在 7 月 24 日，高盛紧急召开 " 中国存储专家电话会 "，围绕中国 DRAM 产能扩张、产品研发进展及全球存储价格走势三大议题展开深度讨论。该专家曾任长鑫存储（CXMT）高级总监（2020 年 7 月至 2024 年 8 月），负责市场营销与销售业务；2000 年 1 月至 2018 年 3 月，他在三星电子担任总监，任职长达 18 年。

尽管长鑫并不能量产 AI 大厂紧缺的 HBM（高带宽存储），但由于头部海外厂商优先把晶圆产能倾斜给高毛利 HBM，反而导致消费级、通用 DRAM 价格暴涨，早已让长鑫赚得盆满钵满：一季度全球 DRAM 收入份额达到 8%，单季收入同比暴涨 719%。IPO 融资后，长鑫不仅将扩产 DRAM，更将向 HBM 等技术进发。

产能：2030年行业龙头有望较当前水平翻倍

专家对中国本土 DRAM 供应商的产能扩张前景持积极态度。他判断，到 2030 年，国内行业龙头年产能有望较目前翻倍以上。

产能扩张布局覆盖合肥、上海、北京三地，预计均在 2028 年前全面投产；此外，一处超大型基地将于 2028 年后开始贡献产能，进一步驱动国产 DRAM 供给持续攀升。

值得关注的是，新增 DRAM 产能不仅采购国际一线设备，也在加速引入国产半导体设备，部分工厂在光刻机以外的环节已主要采用本土设备——这为国产设备供应商打开了历史性的渗透窗口。

也正因如此，高盛核心判断是，中国 DRAM 产能扩张不可逆，国产设备替代加速是确定性主线。无论长鑫存储等厂商扩产进度如何，北方华创、中微、盛美等本土 SPE 供应商均是直接受益方——产能越扩，设备订单越多，国产化率越高，这条逻辑不依赖任何单一客户的成败。

产品：HBM3目标明确，3D DRAM 2027年有望突破

专家指出，中国本土 DRAM 龙头的产品技术在持续迭代，工艺升级带动产品性能较去年有所进步，但与三星、SK 海力士等全球一线厂商相比仍存在差距（如读写速度相对较慢）。

⦁ HBM3 及 HBM3E 量产是本土龙头 2026 年的明确目标；

⦁受制于 EUV 极紫外光刻设备的出口管制，国内厂商需借助 DUV（深紫外光刻）及其他创新工艺路线开发高端产品；

⦁专家预判，3D DRAM 有望在 2027 年实现产品研发新突破，为绕过 EUV 限制提供可行路径。

价格：三四季度涨幅趋缓，2027年仍看涨

在定价方面，专家认为国产 DRAM 价格已接近全球一线厂商水平（尽管良品率相对偏低）。

价格走势判断：

⦁三四季度由于智能手机品牌商对成本上涨的抵制，DRAM 价格涨幅将较上半年有所收窄；

⦁但中国及海外市场的 AI 需求依然强劲，支撑 2027 年存储价格持续上行；

⦁全球一线存储厂商近期不会将 HBM 产能切回传统 DRAM，AI 需求强度决定了 HBM 供给不会松动；

⦁存储厂商与客户之间长期合同占比将进一步提升，有助于价格中枢趋于稳定。

在机构看来，长鑫存储上市不只是一个 IPO 事件，更是中国半导体 " 国产替代 " 从概念走向商业落地的里程碑。本土存储及先进逻辑供应商逐步满足国内云服务商（CSP）生成式 AI 需求，对整条 " 中国为中国 " 半导体供应链构成积极利好——覆盖晶圆代工、半导体设备、材料、零部件、IP 及芯片设计各环节。