IT 之家消息，摩根士丹利（Morgan Stanley）最新研报指出，谷歌自研 Frozen v2 芯片可能不会采用台积电的 CoWoS 高级封装技术，计划把 SRAM 直接集成到芯片硅片上。

在封装技术方面，目前行业观点认为台积电的 CoWoS 封装更适合高性能 AI 芯片，而英特尔的 EMIB-T 被普遍认为更适合中高端 AI 芯片，不过最新研报称谷歌可能放弃封装，把 SRAM（静态随机存取存储器）直接集成到芯片硅片中。

这种方案的优势是具备极高带宽和超低延迟，但同时也面临裸片面积增大、功耗与散热升高的巨大挑战。

技术实现方面，这种方式并非谷歌首创，人工智能芯片制造商 Taalas 今年早些时候也曾推出过类似的方案。IT 之家附上相关截图如下：

Taalas 还将神经网络权重直接硬编码到硅芯片上，从而消除了内存到计算机的数据传输瓶颈。然而，这种方法也存在一个关键缺陷：每次推出相比前代产品有显著升级的新 AI 模型后，都必须设计新的芯片。

摩根士丹利补充预估，谷歌 Frozen V2 最快明年进入早期生产阶段，并于 2028 年实现量产。在合作伙伴方面，美满（Marvell）被认为是最有可能的合作方。