三星电子近日在加利福尼亚州圣克拉拉举行的 "2026 年内存与存储未来大会 " 上，展示了业界首款 zHBM 概念模型。这款专为先进人工智能（AI）计算设计的下一代内存架构，预计性能约为 HBM5 的八倍。

架构革新：垂直堆叠突破传统布局

与传统设计中高带宽内存（HBM）位于处理器旁边的布局不同，zHBM 采用全新架构，将 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器之上。通过最大限度地缩短数据在 AI 处理器与内存之间的传输距离，该技术旨在提供更高带宽和更强能效，以满足大规模 AI 训练和推理所需的超快数据处理能力。

据三星介绍，借助晶圆键合技术，zHBM 的内存密度可达到 HBM5 的十倍以上，能效提升三倍，热阻降低一半以上。此外，该技术还支持客户定制化设计，允许将定制知识产权集成到内存与 AI 加速器之间的夹层中，从而扩展内存容量并提升加速器性能。

未来规划：深化客户合作

三星电子表示，基于与客户的紧密合作，公司计划通过 zHBM 进一步优化 AI 处理器与内存的集成，以最大化 AI 系统的整体性能。

【星途科讯 图文丨王宇洲 首发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】