今年二季度以来，出现了一个不太寻常的信号——一些存储芯片现货渠道商愿意压低价格出手部分型号的 NAND 存储芯片。

第三方机构闪存市场指出，7 月以来多品牌 eMMC 产品出现持续低价走货现象，现货与合约价形成明显价格倒挂，64GB eMMC 现货价格已率先松动下行。

eMMC 是机顶盒、智能电视、入门级手机等消费电子产品的标配存储芯片。在存储行业整体高景气的背景下，这一品类的价格倒挂显得格外扎眼。

21 世纪经济报道记者多方采访发现，这其实透露出当前存储芯片行情正走向两极分化的局面：部分消费类市场正面临下游无法承担芯片涨价幅度的情况，这尤其体现在入门级现货类市场，近几个月均存在渠道商愿意以价换量，以获取现金流的现象；而云侧 AI 或企业级存储市场的涨价态势持续，当然一定程度上受到签订长期合约的影响。

只是随着近期多家国际头部存储大厂相继开启扩产，这种供不应求的行情还能持续多久？

截然相反的市场表现

" 最近现货渠道市场的价格确实比较混乱。" 一名存储芯片行业从业者对 21 世纪经济报道记者分析道，这源于有存储芯片厂商将部分产品交给渠道商代理，但渠道商发现，面向的下游客户不愿接受高昂的报价，选择观望，这些渠道商为了回笼现金，选择在一定程度上压低价格。

但即便如此，渠道商们也还是能有不错的收益。" 有些渠道商在低成本的时候拿到货，比如成本价在 4 — 7 美元，转手 21 美元卖出去，还是能赚很多的。" 该名人士续称。

闪存市场发布的报告也显示，今年二季度以来，贸易市场中积攒了大量来自原厂和各存储品牌厂商的 64GB eMMC 芯片，在无实际需求承接的情况下，市场中 eMMC 产品只能在贸易商之间来回流转，难以得到有效消化。因此一些存储渠道厂商多采用按单议价的方式推进交易，实际成交价格仍在下探，本周 64GB eMMC 产品价格小幅调降。

TrendForce 集邦咨询分析师敖国锋也对记者指出，eMMC 的价格倒挂，主要原因在于中低端小容量产品需求在成本上涨后出现下滑，买家难以接受价格上涨。因此，虽然 Wafer（晶圆）合约价仍呈上涨走势，但终端产品价格已出现停涨的情况。

这揭示了明明当前处在卖方市场，但现货渠道商愿意以价换量的背后逻辑。此外需要注意的是，现货市场通常面向规模偏小的下游客户，且整体市场规模偏小，这决定了该市场的价格表现并不能完全复刻合约市场的走势。

" 现货渠道市场的销量较去年同期有所下滑，未来现货价格上涨空间或有限。" 敖国锋补充道。

当然，现货渠道市场只是一个观察切口。倘若放眼整体下游市场，消费类和云侧 AI 两大不同市场，对当前持续的涨价行情，也开始有不同的态度。

其中，消费类市场由于直接面向普罗大众，其价格耐受度偏低于企业级市场，这与 eMMC 现货市场价格难以维持有类似逻辑。

Counterpoint Research 高级分析师 Shenghao Bai 告诉 21 世纪经济报道记者，2026 年上半年末相比 2025 年年末，智能手机存储芯片合约价平均上涨超过 200%。" 供求关系在今年下半年不会有本质改善，但类似今年上半年这种短期迅速上涨的势头很难维持。我们预计下半年移动存储芯片价格整体依旧是走平、上翘的趋势，但价格上涨幅度预计环比将收窄。"

当然，存储芯片价格不可能持续大幅走高，这一趋势也开始反映在企业财报中。

SK 海力士此前发布的第二季度财报显示，存储芯片产品的客单价涨幅有所收窄：DRAM 芯片方面，二季度 ASP 环比上涨约 30%，一季度则环比上涨约 65%；NAND 方面，二季度 ASP 环比上涨约 55%，一季度环比上涨约 75%。

伯恩斯坦发布的统计显示，2026 年第三季度常规 DRAM 与 NAND 闪存合约价格环比涨幅接近 20%，相较第二季度，本轮涨价幅度显著收窄。

该机构还提到，在 DRAM 市场，PC 与移动端需求持续走弱，下游客户十分抗拒进一步涨价；但服务器端需求依旧十分旺盛，且预计明年整体供给格局将进一步趋紧，不过长期供货协议的价格上限在一定程度上抑制了涨价幅度。

这也意味着，虽然消费级市场已经难以承受持续涨价的压力，但服务器和企业级存储市场对价格并不敏感，对存储价格有一定支撑能力。

扩产潮后的供需走向

持续的涨价行情为存储产业链带来了丰厚的利润，存储巨头积极推进的长期合约则保障了中期内公司的利润厚度。由此，此前被认为 " 巨头们亏怕了、不敢盲目扩产 " 的情况，终于开始扭转。

就在近期，SK 海力士重启了停滞 4 年的中国工厂投产计划，还宣布在韩国本土投资 54 万亿韩元，用于建设龙仁 DRAM 厂 Y2 与清州 NAND 闪存晶圆厂 M17。

公司方面预计，中国工厂将在 2027 年上半年开始投产；韩国新增的 Y2 和 M17 工厂首个无尘室，分别将于 2029 年 6 月、2028 年 12 月启用。

SK 海力士在宣布扩产的消息中还援引市场调研机构 Omdia 的预测数据称，从 2025 年至 2030 年，DRAM 和 NAND 闪存市场需求年均增速将达 19%。公司方面表示，这并非一时的行业景气，而是源于存储器已从普通的零部件升级为决定 AI 性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。

此前，SK 海力士已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的 2045 年大幅提前至 2033 年。此次 Y2 建设即为支撑该目标的第二阶段关键举措，投资将分阶段实施至 2031 年 10 月。

不难发现，这些新建产能要真正产出产品，还需要相当长的时间。

" 原厂在扩产没错，远水救不了近火。" 前述存储行业从业者对 21 世纪经济报道记者点评道，通常存储晶圆厂的扩产周期相对固定，大约需 2 年，因此结合存储大厂此前宣布的新增产能规划，最快也将在 2027 年下半年左右陆续释放部分供应。

集邦咨询也指出，以 DRAM 市场为例，尽管在 2027 年，有数家供应商规划新产能陆续投产，但受限于建厂工期、设备移机、原物料等前置作业约束，预计多数新厂的投片放量将在 2027 年下半年落地，考量到生产周期，预计其显著的产出贡献将于 2028 年显现。

此外，还有市场观点认为，近期 SK 海力士和闪迪联手推进的 HBF 品类，随着其后续推向市场，或许有望加速缓解 NAND 芯片的供需失衡情况。

对此，敖国锋则指出，HBF 在 GPU 或 AI 芯片应用上目前的困境主要是速度及寿命问题，在与 GPU 或 AI 芯片封装在一起后，HBF 还会面临写入次数的限制。然而，TrendForce 集邦咨询认为，智能手机厂商反而有机会应用 HBF，以推广 AI 功能。

面向后市，敖国锋对记者指出，预估第三季度 PC 及手机 NAND 芯片产品约有 20% 涨幅，但随着原厂加速升级，同时明年消费级产品需求增长不易，预计到 2027 年下半年，NAND 芯片产品的紧缺情况有望改善。

TrendForce 集邦咨询分析师许家源则认为，DRAM 内存芯片供不应求的格局预计将延续至 2027 年，价格涨势预计会延续到 2027 年下半年。" 不过，该品类在经历数个季度的价格大幅上涨后，后续价格涨幅仍需考虑到终端客户的负担能力，因此自 2026 年三季度开始，环比价格涨幅预计将明显放缓。" 他续称。

长期看，AI 的确正在重塑存储行业的底层逻辑：存储从 " 大宗商品 " 走向 " 系统级定制化组件 "；存储巨头纷纷与客户签订 3 — 5 年期长协，本质上是把 " 今天的价格 " 装进 " 明天的合同 "，试图用商业模式的变革对冲周期的波动。

但供应链的涨价也应当与下游市场的承受能力相匹配，过高的涨价幅度，终究会让部分终端市场面临严峻的压力，进而反噬供应链本身。

应该说，消费级存储的价格松动并不意味着超级周期终结，而是预示行业内部的价值重构。一个更加分层的存储市场正逐渐显现。