尽管三星电子与 SK 海力士正投入数百亿美元扩张半导体制造，但全球内存短缺状况可能将持续至 2030 年。受 DRAM 和高带宽内存（HBM）需求激增驱动，两家韩系巨头计划在 2026 年联合斥资 740 亿欧元采购制造设备。然而，新增产能大多需至 2028 年或更晚才能释放，计算机制造商将面临长期的供应短缺及零部件价格攀升。

产能释放滞后，供应紧张常态化

半导体工厂建设周期长达数年，且先进内存制造设备日益昂贵。即便资金雄厚，企业也无法迅速建成生产线，尤其在设备供应商自身产能受限的背景下。三星虽推行激进扩张计划，争取额外洁净室空间并投资基础设施，但受建筑成本上升和设备交付延期的拖累，预计 2028 年前内存供应仍将保持紧张。

SK 海力士的预测更为悲观，认为内存需求在 2030 年前将持续超过供给。目前，其 2027 年和 2028 年计划产能的一半以上已被长期协议锁定；客户谈判迹象显示，直至 2029 年，几乎所有的 DRAM 和 HBM 产能都将被预订完毕。

HBM 挤占资源，PC 厂商承压

HBM 的兴起加剧了供应困境。制造 HBM4 需要更大的硅片、更多的加工步骤及复杂的封装技术，消耗了大量本可用于生产传统 DRAM 的资源。供应商倾向于优先满足利润丰厚的 AI 客户，导致台式机和笔记本电脑制造商在获取日益昂贵的 DRAM 时面临激烈竞争。随着企业级存储需求加速，NAND 闪存供应也面临类似压力。

为保护巨额投资，制造商愈发倾向于通过长期协议锁定产能。据报道，三星已与十家主要客户签订合同，并与另外十家谈判；SK 海力士则与 14 家客户达成协议。此类安排虽提供了可预测的收入，但也减少了公开市场上的流通芯片数量。

扩建进程与财务表现

两家企业均在扩大制造设施，包括三星位于美国德克萨斯州泰勒市的业务，以及 SK 海力士在龙仁和清州的开发项目。其中，SK 海力士 M17 NAND 设施计划于 2028 年 12 月启用首个洁净室，龙仁 Y2 DRAM 工厂则瞄准 2029 年 6 月投产。

与此同时，短缺局面带来了非凡的财务回报。三星第三季度运营利润约为 722 亿欧元，SK 海力士约为 560 亿欧元，AI 基础设施支出推动了创纪录的盈利能力。在内存行业享受繁荣红利的同时，下游客户却面临着高昂的零部件成本。

此外，中国内存产业的发展可能使局势复杂化。长鑫存储正在增加传统 DRAM 产量，随着韩国新工厂陆续投产，可能引入额外竞争，但这些产能的具体时间和规模仍具不确定性。随着生产承诺延续至本世纪末，新工厂完工尚需数年，PC 制造商在零部件可用性和定价方面仍面临持续不确定性，其影响范围已远超当前的 AI 投资热潮。

【星途科讯 图文丨伊贝 首发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】