近日，西部数据在投资者活动上介绍了 BiCS8 2Tb QLC NAND 闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的 SSD。其采用了 218 层的 BiCS8   FLASH 3D 闪存技术，非常地小巧，可以放在指尖上。

据 TomsHardware报道，西部数据分享了 BiCS8 2Tb QLC NAND 闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，功耗、存储密度和 I/O 性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个 NAND 闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商使用 16 个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中提供 4TB。如果能够实现大批量生产，那么足以重新定义大容量 SSD 的成本。

西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理 Robert Soderbery 表示，很高兴与大家分享这款芯片，设计的初衷是为了满足数据中心和人工智能（AI）存储的需求，西部数据将很快宣布这款产品，与大家分享世界上容量最大的内存芯片。

根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND 闪存的密度比起竞争对手高出 15~19%，I/O 接口速度比竞争对手快了 50%，同时每 GB 数据所需要的程序能效比竞争对手低了 13%。西部数据还介绍了制造方法，采用的是 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，单独制造每个 CMOS 晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的 Xtacking 架构。