在 2021 年 7 月的 " 英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会 " 上，英特尔 CEO 帕特 - 基尔辛格（Pat Gelsinger）公布了 " 四年五个制程节点 " 的工艺路线图，驱动英特尔到 2025 年乃至更远的新产品开发。其中第三个制程节点便是 Intel 3，凭借 FinFET 的进一步优化和在更多工序中增加对 EUV 使用，相比 Intel 4 在每瓦性能上实现约 18% 的提升，密度上也有 10% 的改进。

据 TomsHardware报道，英特尔已确认，Intel 3 工艺已经在两个工厂进入大批量生产阶段，包括美国俄勒冈州和爱尔兰的工厂，制造最近推出的至强 6 系列 "Sierra Forest" 和 "Granite Rapids" 处理器，主要面向数据中心产品。

英特尔还提供了 Intel 3 工艺的一些新细节，这是其最后一代采用 FinFET 晶体管技术的半导体工艺，带来了更强的性能和更高的晶体管密度，并支持 1.2V 的超高性能应用电压。不但针对英特尔自己的产品，也针对代工客户，未来几年会不断发展。

除了基础版本外，英特尔还提供了 Intel-3T、Intel-3E 和 Intel-3PT 三个变体。其中 Intel 3T 通过 TSV 支持，可以用作基础芯片；Intel 3-E 将为芯片组和存储应用提供功能增强；Intel 3-PT 进一步提升了性能，并支持 9 μ m 间距 TSV 和混合键合，可以说是 " 终极 FinFET 工艺 "。Intel 3 还进入了 210nm 的高密度（HD）库，比起 240nm 高性能（HP）库的 Intel 4 工艺在晶体管性能上提供了更多选择。

此外，英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择：14 层着重于成本；18 层是性能和成本之间的最佳平衡；21 层适用于高性能。