进入 2024 年后，存储芯片价格的上涨势头持续，铠侠（Kioxia）选择结束了自 2022 年 10 月起开始施行的 NAND 闪存减产策略，将生产线的开工率重新提升至 100%。与此同时，铠侠也在推进其技术开发计划，尝试在存储单元上堆叠更多的层数，目标直指 1000 层。

据 PC Watch报道，近期铠侠公布了 3D NAND 闪存发展蓝图，目标 2027 年实现 1000 层堆叠。3D NAND 闪存的层数从 2014 年的 24 层增加到 2022 年的 238 层，在 8 年内增长了 10 倍，在铠侠看来，以每年 1.33 倍的速度增长，到 2027 年达到 1000 层的水平是可能的。

在 3D NAND 闪存的层数挑战上，铠侠似乎比三星更有野心。三星在上个月表示，计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片，其中将引入新型铁电材料应用于 NAND 闪存芯片的制造上，以实现这一目标。

铠侠在去年推出了 BiCS8 3D NAND 闪存，为 218 层。利用了 1Tb 三层单元（TLC）和四层单元（QLC）的四个平面，通过创新的横向收缩技术，将位密度提高了 50% 以上。如果铠侠想在 2027 年实现 1000 层堆叠，可能需要过渡到五层单元（PLC）。

此外，想提高 3D NAND 芯片的密度不仅仅是增加层数，而且还涉及到制造过程中遇到的新问题，所涉及到的技术带来的挑战是巨大的。