快科技 6 月 27 日消息，铠侠最近公布了 3D NAND 闪存发展蓝图，目标 2027 年实现 1000 层堆叠。

自 2014 年以来，3D NAND 闪存的层数经历了显著的增长，从初期的 24 层迅速攀升至 2022 年的 238 层，短短 8 年间实现了惊人的 10 倍增长。铠侠正是基于这种每年平均 1.33 倍的增长速度，预测到 2027 年达到 1000 层堆叠的目标是完全可行的。

在 3D NAND 闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片，并计划引入新型铁电材料来实现这一目标，但铠侠却更早地设定了具体的实现时间表。

去年，铠侠推出了 BiCS8 3D NAND 闪存，其层数高达 218 层，采用 1Tb 三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术，并通过创新的横向收缩技术，成功将位密度提高了 50% 以上。

若要实现 2027 年 1000 层堆叠的宏伟目标，铠侠可能会进一步探索五层单元（PLC）技术的应用。

值得注意的是，提高 3D NAND 芯片的密度并非仅仅意味着增加层数，更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。