今年 4 月，三星宣布正式量产第 9 代 V-NAND 闪存，首批生产的是 1Tb（128GB）TLC 3D NAND 闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约 50%，同时功耗降低了 10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据 The Elec报道，三星在第 9 代 V-NAND 闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低 30% 至 40%，而且还能降低 NAND 的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着 NAND 材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到 600 ℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从 Lam Research 公司引进了 5 台 Mo 沉积机，并计划明年再引进 20 台设备。三星正在从 Entegris 和 Air Liquide 采购钼，而 Merck 也向三星提供了样品。除了三星外，SK 海力士、美光和铠侠也在寻求 NAND 生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了 NAND 闪存，钼材料未来还可能应用于 DRAM 和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。