（全球 TMT2024 年 9 月 3 日讯）9 月 3 日，"2024 开放数据中心峰会 " 在北京召开。三星电子副总裁兼闪存应用工程师团队负责人，沈昊俊在会上发表主题演讲。他介绍了推动社会进入生成式 AI 新时代的三大因素，即计算能力的飞跃，大语言模型 ( LLM ) 的精进，以及各种 AI 服务的兴起，并进一步探讨了生成式 AI 时代 " 更优 AI" 的技术趋势，指出新时代面临的挑战不仅仅是存储器大容量的需求，随着迈向更精密的 AI 模型，存储器的高性能读写能力也是当下面临的巨大挑战。

三星电子副总裁，闪存应用工程师团队负责人沈昊俊（Thomas Shim）发表主题演讲

沈昊俊介绍，为克服性能和容量的制约，采用并行搭载 HBM 和 DRAM 的方式正在逐渐成为行业趋势。三星半导体目前单芯片容量最大 32Gb 的 DDR5 内存产品，不久将可供应 128GB/256GB 等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能 400K IOPS 的高性能 8 通道 PCIe Gen5 SSD PM9D3a。三星的主要代表产品有通过 12 层单 die24Gb 容量堆叠技术实现的 36GB 容量的 HBM3E Shine Bolt；LPDDR5X-PIM 产品能够将系统能效提高 70% 左右，同时可以将性能提升最多 8 倍。三星基于 QLC NAND 技术的 SSD 产品 BM1743 未来可提供大容量规格计划。