盖世汽车 09-23
罗姆推出新型N沟道MOSFET 在汽车应用中提供高安装可靠性
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盖世汽车讯 9 月 19 日,半导体制造商罗姆(ROHM Semiconductor)宣布推出 N 沟道 MOSFET - RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB - 具有低导通电阻,非常适合各种汽车应用,包括车门和座椅定位电机以及 LED 大灯。

图片来源:罗姆

在汽车领域,随着人们对安全性和便利性要求的提高,电子元件的数量正在激增。同时,为了优化燃料和电力消耗,迫切需要提高电源效率。特别是对于汽车系统中开关应用必不可少的 MOSFET,越来越需要降低导通电阻以最大限度地减少损耗和发热。

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