近日，三星举行了 NRD-K 工具入库仪式，宣布新的半导体研发综合体走到关键里程碑，标志着迈向未来的重大飞跃。这次活动大约有 100 名嘉宾参加，包括来自供应商和客户的代表出席了庆祝活动。

NRD-K 作为三星最先进的半导体设施之一，于 2022 年破土动工，位于韩国京畿道龙仁器兴园区，属于三星存储器、系统 LSI 和代工半导体研发的关键研究基地，是占地约 109,000 平方米的综合体。凭借其先进的基础设施，能够将研究和产品级验证在同一屋檐下进行。三星计划到 2030 年投资约 20 万亿韩元（约合 142.36 亿美元 / 人民币 1032 亿元），其中包括一条研发专用线路，预计将于 2025 年中旬开始运营。

三星电子副董事长兼 DS 部门负责人全永铉在活动上表示："NRD-K 将加快我们的开发速度，使公司能够创造一个良性循环，以加速下一代技术的基础研究和大规模生产。我们将在三星电子 50 年半导体历史为起点，为实现新的飞跃奠定基础，并为下一个 100 年创造新的未来。"

据了解，NRD-K 将导入 ASML 的 High-NA EUV 光刻机和新材料沉积设备等一系列最先进的半导体生产工具，旨在加速下一代存储半导体的开发，包括 3D DRAM、超过 1000 层的 V-NAND 闪存等，还将建设具有创新 wafer-to-wafer bonding 能力的晶圆键合基础设施。