文 | 秦楠

来源 | 博望财经

在当前新能源汽车领域，除了智驾以外，还有一个领域对汽车的影响极大。那就是第三代半导体器件。

以碳化硅为代表的第三代半导体首先能直接提升车辆加速性能，以特斯拉 Model 3 和小米 su7ultra 为例，其碳化硅逆变器的应用使 0-100 km/h 加速时间缩短至 2 秒左右，

其次，碳化硅能间接提升汽车性能，因为轻量化和功率的提高，碳化硅功率组件体积缩减至传统硅基器件的十分之一，并减少约 35% 的散热组件用量。据英飞凌实验室数据，碳化硅电驱系统整体损耗较硅基方案降低 83.7%，每百公里电能消耗减少 1.2-2.1 kWh。

第三，碳化硅的高温工况稳定，材料在 600 ℃高温环境下仍保持稳定工作特性，相较硅基器件 150 ℃的温度阈值具有显著优势。

在第三代半导体产业链中，碳化硅衬底龙头天岳先进，正是这一赛道的核心企业。

从 2022 年初在科创板上市以来，天岳先进虽然也有产能不断扩张，2024 年实现盈利，全球市场占有率不断提升等高光时刻，但也经历了业绩巨亏、股价破发、衬底价格下降等一系列挑战。

最近，天岳先进又向港交所递交上市招股书，正式冲刺港股 IPO。对创始人宗艳民这个济南首富来说，当下正经历着第二次跳跃的挑战。

从破发到世界第二

二十多年前，山东大学蒋民华院士组建了碳化硅技术攻关团队，突破 N 型与半绝缘碳化硅体块单晶生长及加工核心技术，并研制出碳化硅单晶炉设备，实现从晶体生长装备制造、单晶制备、衬底加工到终端应用的全链条技术国产化验证。当前国内第三代半导体技术体系，几乎均发轫于山东大学晶体材料研究所。

2011 年 5 月蒋民华院士逝世后，从当时看碳化硅半导体技术产业化风险较高，鲜有企业愿意承接相关研发工作，致使该课题研究一度停滞。

这个时候，宗艳民果断完成山东大学碳化硅材料技术的产权受让，宗艳民前瞻性预判碳化硅半导体技术的战略价值，看准了碳化硅衬底在电动汽车的电机驱动器、车载充电器等领域，大幅减少能量损耗，提升电动汽车的续航里程中的产业潜力。

2015 年，天岳先进在国内率先实现 4 英寸碳化硅衬底量产，经数年发展形成半绝缘型与导电型碳化硅衬底双轨并进的产品格局。

前者主要应用于微波射频器件制造，服务于信息通信、雷达探测等领域；后者则用于制备 MOSFET、IGBT 等功率半导体器件，广泛赋能新能源汽车、轨道交通及智能电网等产业。

后来，半绝缘碳化硅衬底在射频芯片领域的应用突破引起华为公司关注。2019 年 8 月，天岳先进首轮对外融资即获华为旗下哈勃科技投资注资。

2021 年，该企业成功实现 6 英寸碳化硅衬底规模化量产，至 2023 年完成 8 英寸产品量产技术突破，并于 2024 年率先推出全球首款 12 英寸碳化硅衬底产品。

2022 年 1 月，天岳先进作为碳化硅衬底领域首家上市公司登陆上交所科创板，发行定价 82.79 元 / 股，引发资本市场高度关注。

然而市场反应未达预期，上市首日即现破发，此后四个月内股价持续震荡下行，最低探至 41 元 / 股区间，市值累计缩水逾百亿元。此后相当长时期内，公司股价始终未能回归发行价上方。

这一市场表现与其业绩的大幅波动存在密切关联。

上市前披露的 2021 年度报告显示，企业实现营业收入 4.9 亿元，同比增长 16.25%；净利润达 8995 万元，同比增幅 114%，呈现双增长态势。

但上市首年即出现业绩反转，2022 年度营收降至 4.17 亿元，同比下滑 15.56%；净亏损 1.76 亿元，同比降幅达 295.31%。直至 2023 年经营数据出现转机，营收 12.51 亿元实现 199.9% 的同比增幅，但净亏损仍维持在 4572 万元。

公司向外界回应业绩变脸是主因时上海临港工厂投产延期：原计划 2021 年底投产的 30 万片年产能，因设备调试与疫情拖累，至 2022 年末产能利用率不足 40%。

同时，其原本的 IPO 资金的募资使用争议进一步削弱投资者信心。根据财报，超募资金中 7 亿元用于补充流动资金，5400 万元用于股份回购，被质疑偏离 " 研发与扩产 " 的募资初衷。

在经历一系列曲折过程之后，2024 年天岳先进财务数据改善，营收规模攀升至 17.68 亿元，同比增长 41.37%；实现净利润 1.8 亿元，同比增幅 125.3%，成功实现扭亏为盈。

但值得注意的是，据港股招股文件披露，2024 年前三季度 1.43 亿元净利润中，包含政府补助、汇兑收益及资产处置收益等非经常性损益合计约 5745.6 万元，占净利润比重超 40%，表明其主营业务盈利能力仍待提升。

企业于招股书中特别提示：" 无法保证未来期间能够维持历史增速水平。"

行业竞争态势亦不容乐观，2022 至 2024 年前三季度，碳化硅衬底产品平均售价由 5110 元 / 片降至 4185 元 / 片，累计跌幅逾 18%，价格竞争日趋白热化。

弗若斯特沙利文研究数据显示，按 2023 年度碳化硅衬底销售收入统计，天岳先进以 14.8% 的市场份额位居全球行业第二位。

碳化硅军备竞赛开启

截至 2024 年，天岳先进已累计获得授权专利 489 项，在碳化硅晶体缺陷密度控制、金刚石线多段张力调控技术、单片材料利用率优化、第四代长晶炉（TY-4000）研发及全自动检测系统构建等关键技术领域均实现重大突破。

2023 年 6 月，公司全球率先发布 8 英寸导电型碳化硅衬底产品，其液相法 P 型衬底工艺的量产突破使生产成本显著降低。同步研发的 12 英寸衬底采用应力缓冲层创新设计，有效攻克大尺寸晶圆翘曲技术难题。2024 年，天岳衬底产品通过英飞凌车载级认证，作为核心材料进入梅赛德斯 - 奔驰 800V 高压平台供应链体系，首期订单金额达 2.3 亿元人民币。

伴随上海临港生产基地产能释放，2024 年公司实现 41 万片 / 年的衬底产能规模，推动营收同比增幅达 41.37%，其中海外订单占比突破 40%，欧洲市场销售溢价较国内高出 15%-20%。

然而在亮眼数据的背后，企业财报亦揭示出多重挑战。首要问题体现为盈利质量亟待提升，在剔除政府补助等非经常性损益后，核心业务净利润率仅维持 7.2% 水平，较国际龙头 Wolfspeed 存在逾 10 个百分点的差距。

其次，短期债务压力显著加剧：短期借款规模激增至 9.8 亿元，流动比率由 10.6 骤降至 2.1，速动比率 1.3 的指标已逼近偿债能力警戒阈值。

再者，研发投入强度呈现收缩态势：2024 年研发费用支出 9500 万元，占营收比重 7.4%，较 2022 年 30.6% 的投入水平大幅回落。

值得注意的是，同期行业龙头 Wolfspeed 的研发投入规模为其 10 倍以上。在技术追赶的关键阶段，特别是 12 英寸衬底的持续研发需要高强度资金支持，研发投入的缩减可能对长期竞争力形成制约。

产品结构方面，公司在 5G 基站射频器件与卫星通信半绝缘型衬底领域保持优势，2024 年全球市占率达 18% 并连续四年稳居前三。但市场空间更广阔的导电型衬底领域，其 6 英寸产品良率稳定在 55%，8 英寸量产良率仅 40%，较 Wolfspeed 等国际领先企业仍存提升空间。

基于上述背景，2024 年 12 月公司战略调整融资路径，终止 A 股定增计划转战港股 IPO，拟募集资金 30 亿港元。鉴于当前 A 股上市排队周期与港股相比，后者具备更为高效的上市节奏。

根据招股书披露，募集资金将按 6:2:2 比例分配：60% 用于上海临港二期扩产项目，目标建成 50 万片 / 年 8 英寸衬底产能；20% 投入 12 英寸衬底研发；剩余 20% 用于海外市场拓展。

此战略调整映射出全球碳化硅衬底三强竞争的加剧态势。市场数据显示，Wolfspeed 维持 22.5% 的全球市占率，其 8 英寸衬底已实现量产，并规划建设 600 万片 / 年产能体系。天岳先进虽以 14.8% 市占率位居次席，且 8 英寸量产成本较 Wolfspeed 低 15%，更于 2024 年全球首发 12 英寸样品，但技术竞赛已进入关键阶段。

现阶段竞争焦点集中于 12 英寸衬底研发进度：天岳先进 2024 年 11 月公布的样品单片晶圆可产出芯片数量较 8 英寸提升 30%，规划 2027 年实现量产并控制成本至 800 美元 / 片。而 Wolfspeed 宣布 2026 年量产时间表，并设定较天岳低 15% 的成本目标，形成直接技术对标。

值得关注的是，即便港股募资顺利到位，临港二期达产后形成 60 万片 / 年 8 英寸产能，但随着 Wolfspeed 同步扩产，行业预测至 2027 年全球碳化硅产能可能面临过剩风险，届时价格竞争或将加剧，这对天岳先进成本控制能力构成严峻考验。

结语

除了传统的汽车功率半导体和半绝缘型之外，碳化硅在当前火热的 AI 眼镜市场也有用武之地。

天岳先进的 12 英寸半绝缘碳化硅衬底凭借 2.7 的高折射率，显著扩大了 AR 眼镜的视场角，同时单片波导重量可低至 3 克，解决了传统树脂或玻璃材料导致的设备笨重问题。

例如 Meta 的 Orion AR 眼镜采用碳化硅光波导后，实现了更优的显示效果与佩戴舒适性。12 英寸出片率提升后，光波导 BOM 成本（占眼镜总成本 40%）有望从千元级降至百元级。

而这一市场未来的市场预期，到 2030 年有望超 6000 万副，天岳先进的碳化硅衬底有望撬动千亿级市场，成为 AI 终端创新的核心受益者。

所以，天岳先进不管是半绝缘型、绝缘性还是 AI 眼镜中，12 英寸的军备竞赛已经至关重要。

碳化硅未来的 " 黄金十年，对天岳先进来说 " 既是机遇，也是试炼场。