【CNMO 科技消息】据韩媒报道，尽管三星电子在高带宽内存（HBM）产品的质量测试上有所进展，但其半导体部门仍面临多重挑战。业内人士指出，以 8 层堆叠 HBM 产品为例，三星的供应时间比竞争对手晚了一年以上，这使其在技术差距和市场份额的追赶上存在明显局限。

在第五代 HBM 竞争中处于劣势的三星，正将翻身希望寄托在下一代 HBM4 产品上，目标是在今年内实现量产。然而现实并不乐观。用于 HBM4 的 10 纳米级第七代（1c）DRAM 仍未完成开发，材料准备不足令 HBM4 的量产节奏存在不确定性。业内专家指出：" 只有高附加值的 HBM 订单显著增长，三星 DS（设备解决方案）部门的业绩才可能实现有意义的反弹。"

除了存储芯片外，三星半导体的另一大支柱——由晶圆代工和系统 LSI 组成的业务线也未见起色。据估计，2025 年第一季度该业务线亏损超过 2 万亿韩元（约 99.2 亿元人民币）。其中，核心产品 Exynos 2500 因性能与良率未达预期，未能搭载于 S25 系列上，导致亏损持续。

在晶圆代工领域，由于 3 纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单，三星在争夺高端客户上的劣势可能在短期内持续存在。

面对困局，三星正全力推进 2 纳米制程及相关产品的开发。公司正在集中力量开发 Exynos 2600，并争取在年内实现量产。一位业内人士透露：" 目前 2 纳米制程的良率相比去年同期的 3 纳米水平更为稳定，三星在该节点上的投入与期待显著提升。" 尽管前路仍存挑战，但 2 纳米与 HBM4 被视为三星半导体业务能否逆转局势的关键支点。

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