【太平洋科技快讯】5 月 20 日，联发科首席执行官蔡力行在台北电脑展 ( COMPUTEX ) 的主题演讲中宣布，其首款 2nm 制程芯片将于今年 9 月进入流片阶段，相较于目前的 3nm 制程，2nm 制程将带来 15% 的性能提升和 25% 的功耗降低。

根据爆料信息，联发科计划在今年 9 月发布的天玑 9500 仍然采用台积电 3nm 制程，而明年下半年推出的天玑 9600 将升级至台积电 2nm 工艺。 这意味着天玑 9600 有望成为市场上首款采用 2nm 制程的芯片，领先于苹果和高通等竞争对手。

台积电最新的 2nm 制程工艺采用了全新的 GAAFET ( 全环绕栅极场效应晶体管 ) 架构。相较于传统的 FinFET 架构，GAAFET 架构通过将纳米片结构完全包裹在栅极材料中，大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著改善了功耗表现。

消息称，台积电 2nm 晶圆的成本将比 3nm 晶圆高出 10%。这将直接导致终端旗舰产品的价格上涨。据悉，芯片成本通常占手机总成本的 20%-30%，2nm 芯片的引入可能导致手机售价上涨 5%-10%。去年 3nm 芯片的推出已使部分旗舰手机价格上涨 200-500 元，2nm 时代预计涨幅将更大。