快科技 5 月 23 日消息，SK 海力士宣布，正在基于其 321 层堆叠 4D NAND 闪存的新一代 UFS 4.1 存储方案，将于 2026 年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。

SK 海力士称，这种新的存储芯片厚度只有区区 0.85 毫米，比之前 238 层堆叠的 1.0 毫米又缩小了 15％，而且依然可以维持高达 4.3GB/s 的最高持续读取速度。

这样的性能，已经超过了最好的 PCIe 3.0 SSD。

同时，随机读写性能分别提升了 15％、40％，更适合手机这种频繁读写小文件的设备，但未透露具体数据。

能效方面，SK 海力士也宣称提升了 7％，有利于延长续航，但也没有给出具体数据。

不过，堆叠层数上去了，总容量并没有变，目前还是 512GB、1TB。