据报道，目前三星 12 层 HBM3E 产品，基本通过英伟达的 DRAM 单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计 6~7 月完成认证，但因延迟，实际结果或等到 2025 年下半年出炉。

人工智能的飞速发展对存储芯片提出了更高要求，HBM（高带宽内存）应运而生。HBM 凭借其高带宽、高容量、低功耗和小尺寸等显著优势，成为高性能计算领域的关键存储技术。此前，美光科技高管表示，市场对其用于人工智能模型的 HBM 芯片的需求强劲，公司 2025 自然年的所有 HBM 芯片都已售罄。此外，根据 TrendForce 集邦咨询最新研究，HBM 技术发展受 AI Server 需求带动，三大原厂积极推进 HBM4 产品进度。由于 HBM4 的 I/O（输入 / 输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于 HBM3e 刚推出时的溢价比例约为 20%，预计制造难度更高的 HBM4 溢价幅度将突破 30%。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

回天新材在 HBM 领域，公司产品导热凝胶已在部分行业客户处供货，正逐步实现国产替代，相关产品产能可以满足客户需求。

鼎龙股份表示，存储芯片 HBM 技术涉及到的部分工艺环节与公司布局的部分半导体先进封装材料应用领域存在很强的相关性，如公司的半导体封装 PI、临时键合胶产品均可以用于 HBM 工艺中。