快科技 6 月 2 日消则，之前我们说过，不用 EUV 光刻机也能做出 5nm。

前段时间，世界上就有一种 " 特殊 "5nm 的消息传出。这种 5nm 采用了完全不一样的技术路线，避开了 EUV 光刻机的依赖，采用一种步进扫描光刻机，通过多重曝光实现 5nm 线宽。

那没有 EUV 光刻机，3nm 有戏吗？

最新报道指出，还是这家 5nm 品牌，最近已经打算推出 3nm 工艺制程技术的 AP（应用处理器），目标是在 2025 年问世。

该芯片采用全环绕栅极（Gate-All-Around，GAA）技术能有效降低电流泄漏并提升性能，是台积电、三星等在先进制程上采用的关键技术。

只是，这项计划却面临显著的挑战。 市场普遍质疑，到底能不能行。

之前，他们就是采用了通过使用深紫外光（DUV）曝光机的多次曝光，来达成 5nm 制程的量产。

市场认为，在 3nm 米制程上也可能采取类似的方法。 然而，相较于 EUV，采用 DUV 的多次曝光方式会显著增加制程步骤，这不可避免地会导致良率和生产效率的下降。

所以，未来的问题的核心，就看自己能不能搞定 EUV 光刻机了。