近日英特尔电子元件技术大会 ( ECTC ) 上介绍了多项封装技术突破，概述了多种新型芯片封装技术的优势。

其中有三种值得关注的新型封装技术，包括：EMIB-T，用于提升芯片封装尺寸和供电能力，以支持 HBM4/4E 等新技术；一种全新的分散式散热器设计；以及一种全新的热键合技术，可提高可靠性和良率，并支持更精细的芯片间连接。

英特尔代工厂旨在利用尖端工艺节点技术，为内部和外部公司生产芯片。随着处理器越来越多地采用复杂的异构设计，将多种类型的计算和内存组件集成到单个芯片封装中，从而提升性能、成本和能效，这依赖于日益复杂的先进封装技术。

EMIB-T 可提升关键的封装供电效率指标，并加快了芯片间通信速度。标准 EMIB 连接由于采用悬臂式供电路径而存在高电压降问题，而 EMIB-T 利用硅通孔（TSV） 从芯片封装底部通过 TSV 桥接芯片进行供电，从而实现了直接、低电阻的供电路径，这对于 HBM4/4E 集成至关重要。与此同时，TSV 还提升了芯片间的通信带宽，使用 UCIe-A 互连技术，将数据传输速率提升至 32 Gb/s 或更高。

EMIB-T 还能实现更大的芯片封装尺寸，达到 120 x 180 mm，并在单个大型芯片封装中支持超过 38 个桥接器和超过 12 个矩形大小的裸片。EMIB-T 可支持 35 微米的凸块间距，25 微米间距也在开发之中，远胜于初代 EMIB 的 55 微米和第二代 EMIB 的 45 微米。此外，EMIB-T 还兼容有机或玻璃基板，其中玻璃基板是英特尔未来芯片封装业务的关键战略方向。

英特尔还披露了一种全新的分解式散热器技术，可将散热器分解成平板和加强筋，以改善散热器与位于散热器和底层芯片之间的热界面材料（TIM）之间的耦合，另外还有助于将 TIM 耦合焊料中的空隙减少 25%。

英特尔展示了一款集成微通道的散热器，液体可直接通过 IHS 冷却处理器，可支持 TDP 高达 1000W 的处理器封装。

英特尔在服务器和消费产品中都采用了热压粘合技术，现在还开发出一种专门针对大型封装基板的新型热压粘合工艺，有助于克服粘合过程中的芯片和基板翘曲，可最大限度地减少了键合过程中封装基板和芯片之间的热差，从而提高了良率和可靠性指标，并实现了比目前大批量生产中更大的芯片封装。

该技术还能实现更精细的 EMIB 连接间距，有助于从 EMIB-T 中榨取更高的密度。