据相关媒体报道，英特尔与软银集团合作成立 Saimemory，以基于英特尔技术和日本学术界（包括东京大学）的专利构建原型，打造 HBM 替代品。其目标是 2027 年完成原型涉及和大规模生产可行性评估，在 2030 年之前实现商业化。

目前大多数 AI 芯片都使用 HBM 作为高带宽存储芯片，非常适合临时存储 AI GPU 处理的大量数据。可是 HBM 制造复杂且相对昂贵，另外功耗较高，容易发热。英特尔和软银集团旨在找出一种更高效地连接方法来堆叠 DRAM 芯片，解决 HBM 存在的问题，希望能将传统堆叠式 DRAM 芯片的功耗减少了一半。

目前只有三家存储器制造商生产 HBM，分别是三星、SK 海力士和美光，但是市场对人工智能的需求使得 HBM 一直处于供应紧张的状态。如果 Saimemory 可以提供替代品，不但能满足市场需求，而且能打破垄断。另外还有一点，就是满足日本在数据中心上的建设需求，提供高效率、高性能、高质量的组件，并降低整体建造成本。

软银集团是 Saimemory 的主要出资方，同时日本理化学研究所与神港精机也在考虑资金或技术上的参与，该项目也得到了政府的支持。