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铠侠公布最新中长期增长战略:正在规划超1000万IOPS的高性能SSD
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昨天,全球存储巨头铠侠在战略会议上正式公布其面向 AI 时代的中长期增长战略,核心聚焦于下一代 SSD 技术的突破与生态协同。公司计划通过融合高性能 XL-FLASH 存储芯片与全新控制器设计,推出一款革命性固态硬盘,目标实现超过 1000 万 IOPS 的随机读写性能,预计 2026 年下半年完成样品开发。

铠侠表示这款突破性 SSD 将采用 XL-FLASH ( SLC ) ,搭配定制化控制器,专为小规模数据操作优化,显著降低延迟并提升效率。公司代表强调:" 这一组合将在企业级存储市场树立新标杆,尤其适合 AI 训练、实时分析等高并发场景。" 此外,铠侠正与多家 GPU 厂商深度合作,针对性优化硬件协同,进一步释放 AI 及图形密集型应用的算力潜力。

在现有产品线方面,铠侠已全面推出基于第八代 BiCS FLASH 技术的 CM9 与 LC9 系列 SSD。其中,CM9 系列面向 AI 服务器与高性能计算场景,顺序读取速度高达 14.8GB/s,随机读取性能达 340 万 IOPS,并支持双端口 2.5 英寸及 E3.S 规格,最高容量达 61.44TB。而 LC9 系列则主打超大容量存储,单盘容量突破 122TB,适用于 AI 推理、大规模数据库等需要海量数据存储的场景。

第八代 BiCS FLASH 通过 CBA,也就是 CMOS 直接键合阵列技术实现性能与能效双提升,接口速度达 4.8Gb/s,输入功耗降低 10%,输出功耗减少 34%。铠侠计划扩大该技术的产能,覆盖从高端 SSD 到 AI 智能手机的多领域应用。

展望未来,铠侠采取 " 双轨并行 " 策略:一方面推进传统堆叠层数升级,如第十代 BiCS FLASH(332 层);另一方面深化 CBA 技术迭代,第九代产品将结合成熟单元设计与先进 CMOS 工艺,平衡性能与成本。

随着 AI 基础设施需求激增,铠侠正通过技术创新与生态合作,加速抢占存储市场高地,为全球数据中心提供高效、可靠的存储解决方案。

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