钛媒体 App 7 月 14 日消息，LG 电子下属的生产技术研究所 ( PTI ) 已启动混合键合设备开发，目标在 2028 年实现大规模量产。混合键合未来将成为 16+ 层堆叠 HBM 内存堆栈构建的关键技术，其采用无凸块的铜 - 铜键合，缩小各层 DRAM Die 间距，能在有限的高度内实现更高层数堆叠，且具备更低发热。 ( 科创板日报 )