过去几年里，HBM 市场竞争加剧，SK 海力士、三星和美光都在通过开发更先进的 HBM 产品，以争夺更大的市场份额，提高存储器业务的营收及利润率。不过近期一间意想不到的厂商正从不同的角度，试图进入 HBM 市场。

据 Sedaily报道，LG 正在为 HBM 开发混合键合设备，目标 2028 年实现量产，希望借此机会进军半导体设备市场。

LG 的做法是有道理，随着 HBM 堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，而混合键合技术可以缩小间隙，满足了需要更多垂直堆叠层数的 HBM 产品的生产。目前 SK 海力士采用的是 MR-RUF 技术，三星和美光则使用了 TC NCF 技术，这些传统方法在超过 16 层堆叠时将面临良品率的挑战。

相比之下，混合键合是一种 3D 集成技术，使用特殊材料填充和连接芯片，不需要凸块。与传统的基于凸块的堆叠相比，具有更低的电阻和电容、更高的密度、更好的热性能、以及更薄的 3D 堆栈。

传闻三星从第 10 代 V-NAND 闪存开始，采用混合键合技术，目标是在 2025 年下半年开始量产，预计总层数达到 420 层至 430 层。三星还打算将混合键合技术扩展到 DRAM 芯片，引入到第六代 HBM 产品，也就是 HBM4。SK 海力士也有类似的打算，不过要等到 HBM4E。