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长江存储计划扩大产能,目标2026年末占据全球15%的NAND闪存产量
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今年初有报道称,长江存储(YMTC)已经开始出货第五代 3D TLC   NAND 闪存,共有 294 层,以及 232 个有源层。传闻三星从今年下半年开始量产的第 10 代 V-NAND 闪存开始,采用长江存储的专利混合键合技术。

据 DigiTimes报道,自 2022 年末以来,长江存储一直在美国商务部的实体清单上,一定程度上影响了其技术的研发和产能的扩张。尽管受到制裁和限制,但是长江存储依然在技术上实现了突破,接下来就是要扩大产能,目标是到 2026 年末,占据全球 15% 的 NAND 闪存产量。另外长江存储还计划建设一条试生产线,专门使用国产晶圆制造工具。

与其他全球 NAND 闪存供应商不同,由于需求疲软和价格压力,都在削减产量和投资,而长江存储走在相反的道路上。根据统计,2024 年末长江存储的产能为每月 13 万片晶圆,约占全球 NAND 闪存产量的 8%。虽然长江存储在设备采购上有诸多限制,但是今年仍计划将产能提高到每月 15 万片晶圆。至于到 2026 年末是否能实现市场份额接近翻倍的目标,还有待观察。

除了拥有 3600MT/s 接口速率的 1TB 3D TLC X4-9070 旗舰产品外,长江存储还计划今年晚些时候发布定位相对低一些的 3D QLC X4-6080,暂时还不清楚层数,有可能仍然是 294 层。明年长江存储准备带来 2TB 3D TLC X5-9080,以及 4800MT/s 接口速率的 3D QLC X5-6080。长江存储下一代技术节点可能超过 300 层,可能需要将三个 3D NAND 粘合在一起。

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