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长鑫存储推进DDR5工艺升级:大规模生产时间延至2025年末
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快科技 7 月 24 日消息,据媒体报道,作为国内最大的 DRAM 芯片制造商,也是唯一能生产 DDR4/LPDDR4 内存芯片的厂商,长鑫存储(CXMT)在今年初完成了向 DDR5/LPDDR5 芯片的技术切换。

近期,长鑫存储正逐步减少 DDR4 出货量,将重心转向 DDR5,并计划升级工艺以提高产量。然而,其 DDR5 量产计划似乎遇到了阻碍。

主要问题在于其生产 DDR5 所使用的制程工艺相对落后。长鑫存储采用了其第四代 DRAM 节点技术来制造 DDR5,导致芯片面积比三星同类产品大出约 40%,成本显著提高,不利于大规模量产。更关键的是,该工艺下的芯片品质和良品率仍未达到理想水平。

成本之外,可靠性也是挑战。早期测试发现,其 DDR5 内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题。为此,长鑫存储不得不重新修改芯片设计以提升可靠性。

此前业内普遍预期长鑫存储将在 2025 年 5 月或 6 月开始 DDR5 的大规模量产,但截至 7 月,大规模出货尚未实现。尽管部分技术问题已得到解决,但良品率仍徘徊在 50% 左右,远未达到大规模生产的理想要求。

尽管如此,长鑫存储的 DDR5 技术已追平南亚科技的水平,正在缩小与领先 DRAM 厂商的差距。综合当前进展,预计长鑫存储的 DDR5 芯片要到 2025 年末才能进入稳定的大规模生产阶段。

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