快科技 8 月 25 日消息，SK 海力士宣布，已完成开发并开始量产其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品。

这也是全球首次使用 QLC 技术实现超过 300 层的 NAND 闪存，SK 海力士计划在明年上半年完成全球客户验证后正式推出该产品。

为了最大化新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一款容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。

为解决大容量 NAND 可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内独立操作单元（平面）的数量从 4 个增加到 6 个，从而实现更大的并行处理能力，明显提升了同时读取性能。

因此与之前的 QLC 产品相比，321 层 QLC NAND 在容量和性能上都有明显提升，数据传输速度翻倍，写入性能提高了 56%，读取性能提高了 18%，此外写入功耗效率也提高了 23% 以上。

SK 海力士计划首先将 321 层 NAND 应用于 PC SSD，然后扩展到数据中心的企业级 SSD 和智能手机的 UFS。

此外 SK 海力士也将基于堆叠 32 个 NAND 闪存的封装技术，达到比现有高出一倍的集成度，进入面向 AI 服务器的超高容量 eSSD 市场。