（全球 TMT2025 年 8 月 25 日讯）SK 海力士株式会社（SK hynix Inc.）宣布，已完成 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品的开发，并已启动量产。这一成就标志着全球首次采用 QLC 技术实现超过 300 层的堆叠，为 NAND 闪存密度树立了新的行业标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年推出该产品。

为了提升新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一款容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为了解决大容量 NAND 可能出现的性能下降问题，该公司将芯片内的独立操作单元（即平面）数量从 4 个增加到 6 个。这使得并行处理能力得到提升，并显著增强了同时读取性能。

因此，321 层 QLC NAND 在容量和性能方面均优于之前的 QLC 产品。数据传输速度翻倍，写入性能提升高达 56%，读取性能提升 18%。此外，写入功耗效率提升超过 23%，这对低功耗要求严苛的人工智能数据中心中进一步增强了竞争力。

该公司计划首先将 321 层 NAND 技术应用于个人电脑固态硬盘（PC SSD），随后扩展至数据中心用企业级固态硬盘（eSSD）及智能手机用统一闪存存储（UFS）。借助其自主研发的 32DP 技术——该技术可实现单个封装内同时堆叠 32 颗 NAND 芯片—— SK 海力士旨在通过实现两倍的集成密度，进入人工智能服务器用超大容量 eSSD 市场。