快科技 8 月 29 日消息，结合 DRAM 内存、NAND 闪存优点的新一代内存—— UltraRAM 终于要来了，如今正迈向量产。

据报道，UltraRAM 的开发公司 Quinas Technology 过去一年持续与先进晶圆产品制造商 IQE 合作，致力将 UltraRAM 内存的制程推进到工业化规模。

UltraRAM 被视为结合 DRAM 与 NAND 优点的新型存储器，具备 DRAM 的高速传输、耐用度比 NAND 高 4,000 倍、超低能耗，及资料保存能力长达千年等特点。

报道指出，该设计之所以大幅进展，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破，而且为全球首创，将帮助 UltraRAM 真正进入量产。

据悉，UltraRAM 仰赖磊晶技术，后续才会经过曝光与蚀刻等半导体制程，来构建内存芯片结构。

ps. 磊晶技术简单说就是在衬底（比如硅片、蓝宝石）这个 " 原子模板 " 上，让原子顺着模板的晶格纹路定向生长，最终形成一层没有 " 拼接缝 " 的高质量单晶薄膜（磊晶层）的工艺 .

IQE 首席执行官 Jutta Meier 指出：" 我们已经成功达成目标，为 UltraRAM 开发出可扩展的磊晶制程，这是迈向封装芯片工业化生产的重要里程碑。 这个项目代表了一个独特机会，将下一代复合半导体材料在英国实现 "。

Quinas 首席执行官兼共同创办人 James Ashforth-Pook 也表示，这次合作的成果是从大学研究迈向商业存储器产品之旅的转折点。

据悉，在接下来的商业化路径中，Quinas 与 IQE 计划与各大晶圆厂与合作伙伴探讨试产的可能性。