快科技 9 月 2 日消息，日本在半导体材料方面居于世界领先地位，但因为缺乏完整产业链，工艺制程方面一直默默无闻，不过近些年，在日本政府大力扶持下，日本开始在工艺制程方面发力。

日本初创晶圆代工企业 Rapidus 最近公布了其 2HP 2nm 工艺的逻辑密度指标，竟然超越了台积电 N2，并且远远优于 Intel 18A，令人惊讶。

据悉，Rapidus 2HP 的逻辑晶体管密度为每平方毫米 2.3731 亿个，略微高于台积电 N2 2.3617 亿个，幅度不到 5％，卡得非常准。

Intel 18A 的晶体管密度没有官方数据，估计约为每平方毫米 1.8421 亿个，日本比之胜出接近 30％！

至于台积电 N3B/E/P、Intel 3、三星 3GAP 等一系列 3nm 工艺，更是望尘莫及。

另外，Rapidus 2HP 的单元库包括一个 HD 高密度库，高度为 138 个单元，间距为 G45。

不过令人存疑的是，权威半导体分析机构 TechInsights 此前分析认为，在高密度的逻辑晶体管密度指标上，台积电 N2 其实做到了每平方毫米 3.13 亿个，Intel 18A 也有 2.38 亿个，甚至三星 2GAA 都不算差约为 2.31 亿个。

这些数据，远高于日本方面宣传的。

另外需要指出的是，Intel 18A 晶体管密度明显低于台积电 N2，并不代表其水平更差，而是采用了新的背面供电技术，占据了一些前方金属层，导致逻辑密度偏低。

同时，Intel 主要追求的不是最大密度，而是最高能效。

总的来说，如果 Rapidus 公布的数据属实，至少说明日本 2nm 工艺达到了相当高的水准，但超越台积电、Intel 还有待商榷，尤其是这是一家新兴企业。

Rapidus 2HP PDK ( 工艺设计包 ) 将于 2026 年一季度提供，计划 2027 年投入量产，但用于什么芯片尚不清楚。

当然，就算造假了也没啥，鞠个躬的事儿嘛！