快科技 9 月 2 日消息，近些年，我国在半导体芯片领域不断努力追赶，但差距依旧比较大，也是被卡脖子最严重的科技产业。

根据著名投资银行高盛最新发布的报告，他们认为中国的国产光刻机只能生产 65nm 工艺的芯片，相比国际巨头 ASML 落后足足有大约 20 年！

高盛称，虽然中芯国际已经可以生产 7nm 工艺芯片，但极有可能还是利用了 ASML 比较老旧的 DUV 深紫外光刻机，因为中国还不具备制造这种设备的能力，更别提 ASML 已经发展了两代 EUV 极紫外光刻机。

目前，ASML 最新的 High-NA EUV 光刻机已经开始交付给 Intel、台积电、三星，对于 1.4nm 以下的工艺至关重要。

它重达 180 吨，体积如同双层巴士，堪称全球最昂贵的半导体制造设备，同时也是最贵的，单台价格估计超过 4 亿美元。

高盛还指出，ASML 光刻机从 65nm 发展到 3nm 及以下，用了长达 20 年的时间，投入了 400 亿美元的研发与资本费用。

因此高盛认为，综合考虑中国当前的半导体技术水平、先进工艺研发的巨大投入、全球产业链的复杂性、高风险的地缘因素，中国国产光刻机不可能在短期内追上西方先进水平。

2025 年第二季度，ASML 销售额达 77 亿欧元，同比增长 23.2％，毛利率达到 53.7％，净利润 23 亿欧元，同比增长 45.2％。