快科技 10 月 20 日消息，据报道，三星计划加大对极紫外（EUV）光刻设备的投资，购买新一批 EUV 光刻设备。

其中，存储部门将部署五套专用标准 EUV 设备，以建立独立生产线，三星位于平泽的晶圆代工厂和存储生产线此前曾共用 EUV 设备。

同时三星将为晶圆代工部门新增两套最新的 High NA EUV 设备，三星计划在 2025 年底和 2026 年初分别交付一套，用于其 2nm 制程的全面生产，其中一套将部署在华城厂区，另一套则可能部署在泰勒晶圆厂。

数据显示，一套标准 EUV 设备的成本约为 3000 亿韩元（约合人民币 15 亿元），而一套 High NA   EUV 设备的成本约为 5500 亿韩元（约合人民币 28 亿元）。

因此，三星在 EUV 方面的总支出约为 2.6 万亿韩元，这也彰显了其在 2nm 晶圆代工领域的雄心。

High NA EUV 光刻机是下一代芯片制造的关键技术，与传统 EUV 相比，它能提供 1.7 倍更精细的电路图案和 2.9 倍更高的晶体管密度，光学精度提升了 40%。

这对于生产密度更高、更节能、性能更强大的 2nm 代工芯片以及先进存储产品（如垂直通道晶体管 DRAM 和第六代 HBM4）至关重要。