三星电子在先进制程竞赛中正迎头赶上，其关键的 2 纳米芯片技术据报取得积极进展。

据媒体 21 日报道，三星已将其 2 纳米 GAA（全环绕栅极）工艺的年底良率目标从 50% 上调至 70%。在一次由韩国总统办公室政策负责人 Kim Yong-beom 主持的会议上，三星设备解决方案部门总裁兼首席技术官 Song Jae-hyuk 对该技术的 " 卓越进展 " 表达了强烈信心，并暗示了争夺全球代工市场头把交椅的意愿。

这一进展被视为三星扭转其代工业务困境的关键一步。作为该技术的首个应用，其 Exynos 2600 芯片的早期内部测试结果显示出强大性能。此番动态也获得了同业的关注，SK 海力士公司总裁 Song Hyun-jong 认为，该技术将是一个 " 关键的转折点 "。

在过去数年，三星的芯片代工业务市场份额远落后于台积电。若此次技术突破能成功转化为大规模、高良率的生产，将显著增强三星在尖端芯片制造领域的竞争力，对投资者和整个半导体供应链产生深远影响。

良率目标上调，提振市场信心

据媒体援引一位不具名的知情人士透露，随着 2 纳米芯片的全面量产临近，三星将其年底良率目标从 50% 提升至 70%。这一显著上调被市场解读为三星在按计划顺利实现其工艺良率和芯片性能目标。

该人士表示，三星高管在总统办公室会议上的表态，可以被理解为公司正平稳地达成其既定的 2 纳米工艺良率和性能指标。

在最近一次讨论半导体行业问题的会议上，三星高管的乐观表态尤为引人注目。据 Chosun 报道，三星总裁 Song Jae-hyuk 对公司的 2 纳米 GAA 工艺进展给出了大量积极评价。

报道称，Song Jae-hyuk 在会议上暗示，希望凭借 2 纳米 GAA 节点夺取全球芯片代工市场的领先地位。这番表态的背景是，三星的代工业务在过去几年中表现不佳，使得台积电得以占据绝大部分市场份额。如今的进展似乎预示着三星的命运可能出现转机。

技术路线清晰，多代产品同步推进

三星在 2 纳米技术上的布局并非孤立的举措，而是其清晰技术路线图的一部分。据悉，2 纳米 GAA 晶圆的量产已于 9 月下旬开始，该技术首先被用于即将推出的 Exynos 2600 芯片。

此外，三星已经完成了第二代 2 纳米 GAA 工艺的基础设计，其第三代实现方案（即 SF2P+）预计将在两年内完成开发。

三星的进展也引发了行业内其他参与者的关注。SK 海力士公司总裁 Song Hyun-jong 评论称，这项技术将成为一个 " 关键的转折点 "，显示出其对整个韩国半导体产业的潜在影响。

同时，Song Hyun-jong 也谈到了行业面临的挑战，包括追赶台积电、特定技术难题以及人力资源问题。他补充说，企业需要巨大的政府支持来应对这些挑战。