钛媒体快报 10-31
安森美推出垂直氮化镓功率半导体
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钛媒体 App 10 月 31 日消息,安森美(onsemi)宣布推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体。据介绍,对于超高压器件,安森美的垂直氮化镓(vGaN)采用 GaN-on-GaN 技术,使电流能够垂直流过芯片,而不是沿表面横向流动,这一方案降低能量损耗和热量,损耗减少近 50%。目前安森美向早期客户提供 700V 和 1200V 器件样品。(广角观察)

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