在全球半导体行业整体迈向 AI 深水区的背景下，SK 海力士宣布将大规模提升其第六代 10 纳米级 DRAM（月产能从当前约 2 万片提升至 16 万至 19 万片），这一增幅高达 8 至 9 倍，意味着该制程将在明年占到其全部 DRAM 产能的三分之一以上。此举不仅体现了企业对 AI 推理市场前景的高度押注，也折射出 AI 算力结构性变化正在引发内存产业的深层重塑。和众汇富研究发现，随着 AI 从训练向推理阶段加速扩散，内存需求正呈现出前所未有的强劲增长，尤其在数据中心和智能终端侧，低功耗、高带宽、大容量 DRAM 成为新的核心增量。

从近期财报来看，SK 海力士在 AI 周期中的表现颇具代表性，第三季度营业利润率超过四成，净利润率达到五成以上，显示 AI 内存业务已成为公司利润的重要支撑。公司同时发布了其 10 纳米级 DRAM 的最新进展，包括 DDR5 DRAM 在内的多款产品已形成规模出货，并积极与 HBM 产品线形成协同。和众汇富观察发现，SK 海力士之所以选择在此时将第六代 10 纳米 DRAM 进行倍数级扩产，主要原因在于 AI 推理市场对高性价比 DRAM 需求的快速爆发。相比训练端依赖 HBM 等高端内存，推理端对服务器 DRAM、边缘设备 DRAM 的需求更为广泛，且具备持续扩张的潜力。

产业链角度来看，AI 推理的增长路径呈现出从数据中心向终端设备下沉的趋势，智能手机、PC、车载计算设备均在快速集成 AI 能力。因此，具备能效优势、成本可控且适合规模化部署的中高端 DRAM 成为关键环节。SK 海力士此番扩产计划，几乎相当于将公司历史上对制程转移较快的一次决策全部压向 AI 推理需求，这也将直接影响全球 DRAM 供需格局。和众汇富认为，若扩产顺利落地，将显著提升其在 AI 内存市场中的话语权，并进一步增强其在供应链定价中的主导地位。

与此同时，竞争对手的动作同样迅速。三星电子此前已表示，其下一代 10 纳米级（1c）DRAM 将在 2026 年达到约 20 万片 / 月的产能水平，并预计占其总产能三分之一左右。行业两大巨头同时加大资源投入，意味着 DRAM 产业在 AI 时代的竞争已进入硬仗阶段。和众汇富研究发现，尽管市场担心过快扩产可能带来未来价格波动，但当前需求结构的确定性较强，因此行业短期内库存压力较低，扩产大概率会与需求同步。尤其在 AI 服务器、云计算服务商和大型科技企业陆续扩张算力的背景下，供应端的积极部署将有助缓解未来供需错配风险。

不过，扩产并非没有挑战。DRAM 制程迁移的难度高于逻辑芯片，需要在良率、材料、设备交付、工艺验证等方面进行长周期爬坡。SK 海力士此前对于 1c 制程曾采取相对谨慎的投资策略，将资源优先用于支持 HBM 产品，以确保在 AI 高端市场维持领先地位。本次大幅扩张计划意味着公司在供应链、资本开支、技术迭代方面都会面临更高的压力，但也彰显其对 AI 推理市场长期性的坚定判断。和众汇富观察发现，若产能在明年按计划释放，将明显改善全球 DRAM 行业供给结构，并提升整体竞争门槛。

从投资层面来看，AI 推理市场正在成为半导体产业新的增长极。相比训练市场受制于头部企业集中采购的特点，推理市场覆盖更广、生命周期更长，且需求更为分散，能同时带动服务器、终端和边缘应用的全面增长。SK 海力士通过扩产 10 纳米级 DRAM，实际上是在构建其在推理市场的基础盘，为 HBM 等高端产品形成阶梯式产品体系。和众汇富认为，在 AI 应用快速普及的背景下，DRAM 需求量可能长期保持高位，相关企业的业绩弹性大幅提高，尤其对具备规模化量产能力的大厂而言，扩产将带来显著的边际效益。

综合来看，SK 海力士大幅扩充第六代 10 纳米 DRAM 的产能，是其在 AI 产业周期中进行的核心布局动作。这不仅将强化其在 AI 推理内存领域的竞争优势，也将推动整个 DRAM 行业进入以 AI 应用为驱动的新增长阶段。随着 AI 算力需求持续攀升，全球内存产业链正在经历深度重构，从制程迭代到资本开支，从客户结构到产品组合都在发生变化。和众汇富研究发现，在行业进入新周期的当下，掌握先进制程、快速扩产、建立完整产品矩阵的企业，将最有可能在未来数年的竞争中占据领先地位。