IT 之家 11 月 25 日消息，2026 年度 IEEE ISSCC 国际固态电路会议将于明年 2 月 15~19 日在美国加州旧金山举行，集成电路学术和产业界的最新成果将在这次行业盛会上集中展示。

IT 之家注意到，存储领域各大原厂将在该活动上展示一系列值得关注的内容：

在 DRAM 内存底层架构方面，三星电子将带来以混合铜键合技术实现单元和外围堆叠的 VCT 垂直单元晶体管 4F2 立体构型设计 ( 15.10 ) 。

在 LPDDR6 上，三星已宣布在明年初的 CES 上展出 12nm 制程的 10.7Gbps 版本，而 ISSCC 上则将有 16Gb 12.8Gbps 版本的介绍 ( 15.8 ) ；而 SK 海力士的 1cnm 工艺 16Gb 14.4Gbps LPDDR6 也将亮相 ( 15.7 ) 。

SK 海力士的 48Gbps 高速 24Gb 大容量 GDDR7 ( 15.9 ) 。闪迪 - 铠侠的六平面 2Tb QLC ( 15.1 ) 、三星的 36GB 3.3TB/s HBM4 ( 15.6 ) 也都将亮相。