【CNMO 科技消息】CNMO 从韩媒获悉，三星已完成第六代高带宽内存（HBM4）的开发，并内部通过了量产准备审批（PRA），这是量产前的最终阶段。该突破意味着其制造竞争力已直接转化为盈利能力，而非仅停留在技术完成层面。

据悉，三星通过将 10 纳米级第六代（1c）DRAM 与采用 4 纳米逻辑工艺制造的基础芯片结合，解决了发热和速度问题。HBM4 的单价预计达中位 500 美元，较当前主力产品 HBM3E（约 370 美元）上涨约 50%，同时出货量预计同比增长三倍，明年总量达 105 亿 Gb。这一价格与量的同步增长，将推动利润大幅提升。

证券机构预测，三星电子 2026 年营业利润可能接近或突破 100 万亿韩元，创历史新高。其中，半导体部门（DS）明年营业利润预计达 77 万亿 -93 万亿韩元，较今年（约 40 万亿 -42 万亿韩元）实现 2-2.5 倍增长。推动因素包括 HBM 市场主导权转移及通用内存短缺带来的价格普涨。

三星已向谷歌、英伟达等客户提交 HBM4 样品，目前未发现质量问题。业界预计其最早本月或明年初获得英伟达最终质量认证（Qual），与下一代 AI 加速器 Rubin 的发布计划同步。

CNMO 注意到，全球 AI 内存严重短缺，竞争对手明年的产能预订已满。服务器 DRAM 需求明年预计增长 35%，但供应仅增 23%，导致价格持续上涨。三星将产能集中于高利润的 HBM 和服务器 DRAM，将进一步推升移动及 PC 内存价格。