财联社 12 月 8 日讯（编辑 卞纯）据业内人士周日透露，今年第四季度韩国三星电子有望重夺全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场营收第一的宝座，超越其本土竞争对手 SK 海力士。

业内人士表示，三星 10-12 月期间预计将实现超 18 万亿韩元（约合 122 亿美元）的营业利润，超出市场预期。

三星旗下负责 DRAM、NAND 闪存和系统半导体业务的器件解决方案部门，预计将成为此次增长的主要驱动力。该部门预计将贡献 15.1 万亿韩元的营业利润，较上一季度增长 166%，较去年同期大幅增长 422%。

凭借这一超预期的盈利表现，三星有望在第四季度全球 DRAM 供应商营收排名中位居第一，将 SK 海力士挤至第二位。

行业分析师指出，三星近期在高带宽内存（HBM）领域努力缩小与竞争对手的技术差距，同时，数据中心等人工智能基础设施投资推动传统 DRAM 产品价格上涨，这两大因素共同提振了其业绩。

存储芯片争霸战愈演愈烈

DRAM 市场的排名变化标志着存储芯片领域的竞争正愈演愈烈。三星曾连续 33 年占据 DRAM 市场领先地位，但在今年第一季度首次被 SK 海力士超越，失去了榜首位置。这一下滑主要归因于三星在 HBM 芯片领域落后于竞争对手。

SK 海力士于 2013 年成为全球首家研发出 HBM 芯片的公司，此后一直主导着全球 HBM 市场。

DRAM 是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存，DRAM 能实现数据随机高速存取，广泛应用于服务器、手机、PC 等各类需要高速数据处理的场景。

而 HBM 是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM，是人工智能 ( AI ) 应用的核心部件，随着 AI 产业爆发，其需求也迅猛增长。

今年第二季度和第三季度，三星的 DRAM 收入再次落后 SK 海力士。但值得注意的是，随着三星加快 HBM 生产并稳定良率，第三季度其与 SK 海力士的差距有所收窄。

根据行业追踪机构 Omdia 上月底公布的数据，由于价格上涨，今年第三季度（7-9 月），全球 DRAM 销售额环比大增三成，SK 海力士连续三季度蝉联第一。三星电子和美光分列第二和第三。

按照销售额来算，SK 海力士第三季度在全球 DRAM 市场的市占率为 34.1%，较前一季度的 39.4% 下降了 5.3 个百分点。当季，三星电子的市占率为 33.7%，较前一季度的 33.2% 上升了 0.5 个百分点。两家公司之间的市占率差距从 6.2 个百分点缩小到 0.4 个百分点。