AI 算力卷到白热化，芯片却快 " 热炸 " 了！

英伟达 H100 峰值功耗超 700W，下一代 Rubin 处理器直奔 1800W，2029 年甚至要冲到 6000W。算力飙升的背后，是传统封装的 " 崩溃 " ——硅中介层散热跟不上、容易开裂，CoWoS 封装的 " 功耗墙 " 成了 AI 算力的致命瓶颈。

而破局的关键，藏在 " 先进封装 +SiC" 的组合里。台积电广发英雄帖推进 SiC 中介层，英伟达计划 2027 年导入 12 英寸 SiC 衬底，产业巨头集体押注。

A 股市场早已闻风而动：先进封装指数年初至今涨幅超 14%，长电科技单日成交额破 50 亿，晶盛机电、天岳先进等 SiC 标的异动，一场由 "AI 算力刚需 +SiC 技术突破 + 国产替代 " 驱动的盛宴，已经开席！

（来源：同花顺）

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算力需求飙升，先进封装成破局关键

AI 大模型训练、数据中心算力需求呈指数级飙升，直接把芯片推向 " 功耗极限 "。2025 年中国智能算力规模达 1037.3 EFLOPS，2026 年还要再涨 40%，但传统封装早就扛不住了。

芯片性能每提升 1 倍，功耗就要翻 3 倍，而硅中介层的热导率只有 148 W/m · K，根本散不掉超高功率带来的热量。更麻烦的是，随着 CoWoS 中介层尺寸变大，硅材质容易分层开裂，良率大幅下降。

（来源：华西证券研究所）

这时候先进封装站了出来。通过 2.5D/3D 堆叠、混合键合、SiC 中介层替代等技术，不仅能解决散热难题，还能让芯片互连密度提升 10 倍以上，成为超越摩尔定律的核心抓手。Yole 预测，2030 年全球先进封装市场规模将突破 790 亿美元，其中 2.5D/3D 封装增速高达 37%，妥妥的高景气赛道。

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从 2.5D 到 SiC，技术迭代不停

先进封装的核心升级逻辑，是 " 材料 + 工艺 " 双突破，尤其是 SiC 的加入，让行业迎来质变。

先看工艺迭代：传统 2.5D 封装靠硅中介层连接芯片，但性能见顶；3D 封装通过混合键合技术，实现铜 - 铜直接连接，互连间距从 20 μ m 缩小到，信号延迟降低 30%。台积电 SoIC、英特尔 Foveros 等技术已经落地，2026 年混合键合将进入规模化应用。

再看材料革命：SiC 成了中介层的 " 最优解 "，不过经济性尚有欠缺。它的热导率达 490 W/m · K，是硅的 3 倍多，莫氏硬度 9.5，抗开裂能力远超硅和玻璃。更关键的是，SiC 能实现高深宽比通孔设计，优化布线密度，让芯片传输速度再提 20%。

（SiC 在热性能、硬度等关键的指标上强于 Si，来源：华西证券研究所）

行业层面来看，2027 年预计将是 SiC 中介层量产元年。按 CoWoS 35% 复合增速、70% 替换 SiC 测算，2030 年需要超 230 万片 12 英寸 SiC 衬底，等效 6 英寸 920 万片，远超当前全球产能，缺口巨大。

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设备 + 材料 +OSAT，龙头抢跑

先进封装的爆发，不是单点机会，而是全产业链的共振，设备、材料、OSAT（封测）三大赛道齐发力。

OSAT 是直接受益端。长电科技 XDFOI 方案覆盖 2.5D/3D 封装，通富微电大尺寸 FCBGA 进入量产，盛合晶微硅中介层技术已量产，深度绑定华为昇腾等客户。全球封测格局中，长电科技、通富微电稳居全球前十，国产替代份额持续提升。

材料赛道是核心瓶颈突破点。封装基板（深南电路、兴森科技）、PSPI（鼎龙股份、飞凯材料）、CMP 抛光液（安集科技）等关键材料国产化率快速提升。尤其是 SiC 衬底，天岳先进全球市场份额 16.7% 排名第二，晶盛机电 12 英寸中试线已通线，三安光电与意法半导体合资建厂，产能持续释放。

（SiC 国产厂商进展情况，来源：华西证券研究所）

设备赛道是量产关键。混合键合机（拓荆科技、芯源微）、CMP 设备（华海清科）、激光划片机（芯碁微装）等设备厂商突破海外垄断。2024 年中国半导体封装设备市场规模达 282.7 亿元，同比增长 18.9%，随着 SiC 中介层量产，设备需求将进一步爆发。

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淘金指南：4 个方向蹲住千亿红利

先进封装 +SiC 的增长逻辑清晰，聚焦 4 个方向，既能抓确定性，又能享弹性。

1.SiC 材料及设备

押注量产前夜优先关注 12 英寸 SiC 衬底及设备企业。衬底端看天岳先进（全球第二，12 英寸已量产）、三安光电（与意法合作，8 英寸产能爬坡）；设备端盯晶盛机电（长晶炉 + 衬底加工双布局）、晶升股份（SiC 长晶炉），分享 2027 量产潮红利。

2. 先进封装 OSAT：国产替代核心

锁定技术突破 + 客户绑定的龙头。长电科技（XDFOI 方案落地，全球第三）、通富微电（AMD 核心供应商，CoWoS 类方案突破）、盛合晶微（硅中介层量产，华为供应链核心），受益于海外产能缺口和国产替代。

3. 关键材料：攻克瓶颈环节

布局封装基板、PSPI、CMP 材料等细分龙头。深南电路（FCBGA 基板量产）、鼎龙股份（PSPI+ 抛光垫双突破）、安集科技（CMP 抛光液 + 电镀液全覆盖），随着先进封装渗透率提升，材料需求持续放量。

4. 混合键合及 3D 封装：技术迭代先锋

关注前沿技术落地企业。拓荆科技（混合键合设备获重复订单）、芯源微（临时键合 / 解键合设备放量）、华海清科（12 英寸减薄机批量供货），把握从 "0 到 1" 的商业化机遇。

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结语

从 AI 算力催生的刚需，到 SiC 技术的突破，再到国产替代的窗口期，先进封装行业已经从 " 半导体后道工序 " 升级为 " 算力核心载体 "，成为支撑 AI、数据中心、智能驾驶的关键赛道。

当前行业处于爆发前夜：2027 年 SiC 中介层量产将打开新增长空间，国内企业在 SiC 衬底、封装设备、OSAT 等环节均已实现突破，产业链优势显著。

格隆汇研究院持续跟踪先进封装全产业链，聚焦 SiC 量产进度、海外订单突破、技术迭代三大核心指标，多维度挖掘优质标的。

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