2026 年将是存储巨头又一个里程碑之年，而这场跃迁的核心赌注，落在了 HBM4 身上。

SK 海力士在 2025 年财报会上宣布，其 HBM4 已于 9 月完成开发并启动量产，2026 年全面放量；三星在 2026 年新年致辞中直言：" 我们的 HBM4 展现了真正的差异化竞争力，甚至有客户感慨：Samsung is back。（三星回来了）"；美光则在 2025 年 9 月的电话会议中确认：HBM4 将于 2026 年 Q2 正式量产出货，下半年进入产能爬坡。

HBM4 的量产冲刺，已在 2026 年初正式启程。

01HBM4，亮相

截至目前，美光、三星和 SK 海力士均已通过不同活动展示了各自的 HBM4 产品。

SK 海力士：16 层堆叠 + MR-MUF + 台积电逻辑芯片

SK 海力士正式展示了其新一代 HBM4 高带宽内存，采用16 层堆叠、容量达 48GB。相比此前推出的 12 层 36GB 版本（曾以 11.7Gbps 的速率创下行业纪录），新器件在容量和带宽上均有明显提升，整体带宽突破 2TB/s。

实现 16 层堆叠的同时，还要满足 JEDEC 对 HBM 封装总高度不超过 775 微米的要求，这对制造工艺提出了极高挑战。SK 海力士的一大亮点是其自研的 MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术：通过将单颗 DRAM 晶圆减薄至仅 30 微米，并在一次回流焊过程中完成多层芯片的垂直互连，既提升了集成密度，也增强了结构稳定性。SK 海力士 16 层 HBM4 器件的另一大亮点是，与台积电合作将 12 纳米逻辑芯片集成到 HBM4 芯片的基础芯片中，作为 HBM4 堆栈的控制逻辑或 " 大脑 "。

三星：1c DRAM + 混合键合 + 全流程自研

与 SK 海力士和台积电合作生产 HBM4 逻辑芯片不同，三星是在自家4nm 工艺上生产逻辑芯片，并且在同一厂区内完成 3D 封装。三星是目前唯一在自有晶圆厂完成 DRAM、逻辑芯片制造及 3D 封装全链条的 HBM4 供应商。

封装技术上，三星未采用 MR-MUF，而是加速推进混合键合技术；同时，三星在 HBM4 的另一个突破在于选择采用1c DRAM 工艺技术。三星的 HBM3 和 HBM3e 都是基于 1a 纳米制程的 DRAM，到了 HBM4 采用 1c DRAM 工艺技术以形成对 SK 海力士的竞争优势。（SK 海力士、美光目前仍采用 1b DRAM 工艺）。三星电子内情的相关人士透露，三星电子 1c DRAM 良率已接近 60%，超过盈亏平衡点，为量产奠定基础。

2025 年底，三星已完成 HBM4 的量产准备认证（PRA），产品达到内部量产标准，正加速推进进入英伟达供应链的进程。在博通主持的技术性测试中，三星 HBM4 运行速度达到中低段 11Gb/s 水平，表现位列三大存储厂商之首。

此外，三星计划在 2 月举行的 ISSCC（国际固态电路会议）上发布一款更高性能的 HBM4 芯片。其首款 36GB HBM4 带宽为 2.4TB/s，新款产品带宽预计将达 3.3TB/s，较上一代提升 37.5%。

美光：11Gb/s+ 自研 CMOS 基地芯片 + 台积电逻辑芯片

美光 CEO 桑杰 · 梅赫罗特拉在 2025 财年第四季度及全年财报中证实，公司新一代 HBM4 内存将于 2026 年推出，多项性能指标超越 JEDEC 基础规范。

美光12 层堆叠的 HBM4正按计划推进，以支持客户平台的扩展。近期，美光已向客户交付 HBM4 样品，其带宽超过 2.8TB/s，数据速率突破 11Gb/s，处于行业领先水平。美光科技声称，新款 HBM4 产品在性能和效率方面将超越所有竞争对手。美光 CEO 表示：" 我们成熟的 1b DRAM、创新且节能的 HBM4 设计、自主研发的先进 CMOS 基地芯片以及先进的封装技术，是成就这款一流产品的关键所在。" 值得一提的是，美光的 HBM4E 将与台积电合作生产逻辑芯片（对，和 SK 海力士类似），计划会在 2027 年上市。

02产能格局，分化加剧

据 TrendForce 预测，预计到 2025 年底，三大 DRAM 厂商的 DRAM 晶圆加工能力（月产量）分别为：三星电子 65.5 万片，SK 海力士 54.5 万片，美光科技 34 万片。其中，采用 TSV 工艺（HBM）的晶圆加工能力（月产量）预计分别为：三星 15 万片，占 DRAM 总产量的 23%；SK 海力士 15 万片，占 28%；美光 5.5 万片，占 16%。

预计到 2026 年底，三大 DRAM 厂商的 DRAM 晶圆加工能力（月产量）分别为：三星 67 万片，同比增长 1.5 万片；SK 海力士 60 万片，同比增长 5.5 万片；美光 36 万片，同比增长 2 万片。其中，SK 海力士的产能增长尤为显著。

SK 海力士采取 "HBM3E+HBM4" 双代并行策略，在巩固当前市场优势的同时，全力冲刺下一代产品。目前已锁定 2026 年全部 DRAM 与 NAND 产能的客户需求，预计全年 DRAM 出货量同比增长超 20%，管理层判断 HBM 供应紧张局面将持续至 2027 年。

美光对 HBM 市场的长期前景保持高度乐观。其 CEO 在 2025 年底业绩电话会上表示，预计 2025 年至 2028 年全球 HBM 总潜在市场（TAM）复合年增长率（CAGR）约为 40%，规模将从 350 亿美元增至 1000 亿美元。为抓住这一窗口期，美光计划今年将其 HBM4 产能提升至每月 1.5 万片晶圆。

面对 AI 驱动的爆发性需求，三大厂商正以前所未有的力度推进产能建设。

03全球布局加速

我们梳理一下各家存储大厂的制造基地布局。

SK 海力士

SK 海力士目前在全球设有多个半导体生产基地，主要分布在韩国、中国和美国，从分布来看，最尖端的 HBM 和先进制程 DRAM 集中在韩国，成熟 DRAM 依赖中国无锡厂支撑，而美国工厂主攻先进封装。

重点来看韩国这边，SK 海力士在利川有三家工厂：M10、M14 和 M16。M10 工厂聚焦基础 DRAM 和 HBM 晶圆制造，2025 年完成产线改造（M10F），承担 HBM 内存封装任务；M14 工厂与 M16 厂协同扩产，最新建成于 2021 年的 M16 工厂主要专注于生产 DRAM 产品。

在韩国清州地区，SK 海力士有M15 工厂，主攻 NAND 闪存制造，是清州园区的核心生产设施。配套还有M15X 工厂，是 M15 扩建计划的一部分，生产 HBM，2025 年 Q4 投产，总投资 20 万亿韩元。

最新进展显示，SK 海力士已将 M15X 的量产时间从原定的 2026 年 6 月大幅提前至 2026 年 2 月，初期月产能约 1 万片，目标到 2026 年底提升至 5.5 万– 6 万片。该厂将同时生产 HBM3E 与 HBM4，并已通过 1b DRAM 工艺认证。值得注意的是，M15X 还将为下一代 HBM4E 铺路，未来将导入 10nm 级第六代（1c）DRAM 技术。

此外，在清州地区 SK 海力士今年会投资 19 万亿韩元，建设一个P&T7 工厂。主要面向 HBM 等 AI 内存的需求的先进封装后端晶圆厂。这个晶圆厂占地面积 7 万坪（约合 23.14 万平方米），计划于 2026 年 4 月开工建设，预计于 2027 年底竣工。其将与 SK 海力士的清州M15XDRAM 前端晶圆厂构成有机整体。

更长远看，SK 海力士在京畿道龙仁市启动了规模空前的龙仁半导体集群项目，规划四座大型晶圆厂，总投资高达 600 万亿韩元。首座工厂已于 2025 年 2 月动工，预计 2027 年 5 月投产。

在美国方面，SK 海力士在印第安纳州准备建设一个先进封装中心，投资 38.7 亿美元，负责半导体产品的封装和测试，计划于 2028 年下半年开始运营。

在中国有两家工厂，一家在无锡、一家在重庆。其中无锡厂是 SK 海力士的存储芯片生产主力之一，占其全球 DRAM 总产量的 30% – 40%。目前该厂 12 英寸晶圆月产能达 18 万– 19 万片，已升级至 1a 工艺。

三星

三星在美国和韩国都有工厂。韩国这边，华城工厂位于京畿道华城市，是三星在韩国的重要存储芯片生产基地，主要生产 DRAM 和 NAND Flash 存储芯片。器兴（Giheung）工厂是三星早期建立的晶圆厂，主要生产成熟工艺节点的存储芯片及相关半导体产品，支持从 350 纳米到 8 纳米的工艺，为三星存储业务提供基础产能支持。平泽工厂是三星存储业务的战略核心。该基地已建成 P1 至 P4 晶圆厂，并正在重启 P5 建设（预计 2028 年投产）。其中，P4 工厂被明确指定用于 1c DRAM 的量产，计划用于 HBM4 等高端存储产品。

同时，三星在美国有奥斯汀和泰勒晶圆厂，奥斯汀主要生产 65nm 至 14nm 逻辑芯片，产品应用于移动设备、通信等领域；泰勒专注于先进制程芯片生产，准备生产特斯拉 AI6 芯片（预计基于 2nm 工艺）。

据韩国《每日经济新闻》报道，英伟达团队已访问三星，通报了 HBM4 系统级封装（SiP）的测试结果。结果显示，三星 HBM4 在运行速度与功耗效率两大核心指标上，表现优于所有竞争对手。" 与 HBM3E 时期不同，我们在 HBM4 开发上处于领先地位，" 一位三星内部人士表示。

据悉，三星正综合评估平泽 P4 产线的扩产进度与交付能力，计划于 2026 年第一季度敲定最终供应合同，并于第二季度启动正式量产交付。

美光

前两天，美光全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 在接受采访时表示："我们当前看到的短缺情况，确实是前所未有的。"

Bhatia 在最新的讲话中指出，用于人工智能加速器的 HBM（高带宽存储）" 消耗了整个行业大量可用产能，导致传统行业领域，例如智能手机和个人电脑，出现巨大的供给缺口 "。

在 HBM 的巨大需求下，美光同样也在疯狂扩产。美光的 HBM 工厂分布在新加坡、日本、美国，其中大多都是新建工厂。

去年年初，美光就在新加坡投资 70 亿美元，准备建设一家专门的HBM 先进封装工厂。这个工厂原计划是 2026 年开始运营，并且从 2027 年开始扩大美光的先进封装总产能。

后来，美光又宣布在日本建广岛工厂，这家则是专门生产 HBM 芯片。工厂在 2025 年 5 月正式动工，预计2028 年左右实现 HBM 芯片的规模化出货。该工厂将采用先进制程技术，是美光自 2019 年以来规划的首个新生产基地。当然，日本政府说要给美光的新工厂提供最多 5,360 亿日元的补贴（约合人民币 259 亿元）。

之前，美光承诺将其 40% 的 DRAM 制造产能转移到美国本土。

在美国，美光投资了 1000 亿美元建设的大型晶圆厂综合体，规划四座晶圆厂，其中两座已动工，预计 2030 年开始投产。今年 1 月，美光在纽约州奥农多加县为其晶圆厂举行正式开工仪式。之前美光还宣布，还会在自家总部的爱达荷州博伊西市建设第二座内存制造工厂，提升美国国内半导体生产和研发能力。

从新建工厂来看，进程在明后年才能实现投产。面对当下的生产需求，美光决定直接买工厂。也就是最近宣布的，以18 亿美元现金收购力积电苗栗铜锣 P5 晶圆厂，交易预计于 2026 年第二季完成。

在铜锣厂之前，美光已收购 AUO 台南厂 2 座、AUO Crystal 在台中的厂房，以及 Glorytek 的台中厂房，作为 Wafer Probe（晶圆测试）、Metallization （金属化）、HBM TSV 等各项用途。此外，美光还规划将部分新加坡 NAND Flash 无尘室改用于 DRAM Metallization。

值得一提的是，虽然 SK 海力士和美光都在积极扩张产能，但三星的扩张步伐却显得较为谨慎。据 TrendForce 预测，预计到 2026 年底，三星的 TSV 工艺（HBM）晶圆加工能力（月产量）将与去年持平，为 15 万片；SK 海力士的产能将同比增长 5 万片，达到 20 万片；美光的产能将同比增长 4.5 万片，达到 10 万片。