快科技 2 月 2 日消息，在过去的几周时间里，苹果牵手英特尔的传闻引发广泛关注。

有证券机构披露，苹果会让英特尔代工部分 M 系列处理器和非 Pro 版 iPhone 芯片，预计在 2027 年发货的低端 M 系列芯片以及 2028 年 iPhone 标准版芯片中使用英特尔 18A-P 工艺。

消息称苹果公司已经与英特尔签署了保密协议，并获取了其先进的 18A-P 工艺的 PDK（工艺设计套件）样本，用于产品评估。资料显示，英特尔 18A-P 工艺是其首个支持 Foveros Direct 3D 混合键合技术的工艺节点，该技术允许通过 TSV 实现多个小芯片的垂直堆叠。

不过行业人士对英特尔代工 iPhone 芯片泼了一盆冷水，认为英特尔绝无可能会代工 iPhone 芯片，主要原因是 BSPD（背面供电）技术。

具体来说，台积电是部分工艺节点采用 BSPD、部分不采用，以此完善其产品组合；而英特尔则是在其最先进的 18A 和 14A 工艺上全面押注 BSPD。

据悉，BSPD 的优势是提升芯片性能，由于芯片是通过背面更短、更粗的金属路径供电，这降低了电压降，支持更高、更稳定的工作频率，但是对于移动芯片而言，这种方案带来的性能增益微乎其微。

更糟糕的是，该方案会带来严重的自发热效应，需要额外的散热措施。因为垂直散热效果较差，横向散热也很更糟，在许多依赖空气散热或有温度限制的场景中，这根本无法实现。

由于这些散热问题，行业人士认为，英特尔在短期内绝无可能获得 iPhone 芯片的代工订单。当然，M 系列处理器由于散热空间相对较大，或许仍存在合作的可能性。