快科技 2 月 3 日消息，据媒体报道，三星电子和 SK 海力士在尖端 NAND 领域的投资即将全面启动。

此前，由于资源长期优先投向 DRAM，相关计划一再推迟。随着人工智能产业带动存储需求快速上升，两家公司近期已开始敲定具体的扩产方案。

业内消息显示，三星与 SK 海力士均计划在今年第二季度推进最尖端 NAND 的 " 转换投资 "。

三星已于 2024 年 9 月启动 280 层 V9 NAND 的量产，但目前产能规模仍较小，月产能仅约 1.5 万片晶圆。此前出于市场需求考虑，三星仅在平泽园区部署了初步量产线。

接下来，三星拟从今年第二季度起扩大 V9 产能，重点将放在中国西安的 X2 产线。目前该产线仍主要生产第 6 至第 7 代旧款 NAND，而邻近的 X1 产线向第 8 代 NAND 的转换已基本完成。

据悉，当前业内讨论的转换投资规模约为月产 4 – 5 万片晶圆。随着设备逐步导入，V9 NAND 预计将从明年起正式进入量产加速阶段。

半导体业内人士透露，三星原计划在第一季度启动西安 X2 产线的 V9 转换，但目前日程已推迟至第二季度。同时，平泽第一园区（P1）也在筹备相关投资。预计明年 V9 产品在生产中的占比将显著提升。

SK 海力士方面也在积极推进先进 NAND 的产能扩张。公司计划于今年第二季度启动 321 层第 9 代 NAND 的转换投资，目标是在清州 M15 工厂实现月产约 3 万片晶圆的 V9 产能。与目前约 2 万片晶圆的水平相比，此次扩产幅度显著。

行业观察指出，三星与 SK 海力士均在为先进 NAND 需求的持续增长做提前布局。过去两家公司的设备投资几乎全部集中在 DRAM，而目前 NAND 市场也已出现供应紧张的迹象。