过去三年，功率半导体市场经历了明显波动。2022 年以高景气收尾；2023 年进入去库存周期，价格松动、产能利用率下滑；2024 年部分细分赛道回暖，但整体仍在修复区间。2025 年四季度开始，周期出现拐点，开始结构性复苏。

2026 年开年，功率半导体的细分领域 MOSFET 迎来久违的密集涨价潮。从国际巨头到本土龙头，多家企业相继抛出调价通知，涨幅普遍达 10% 起，部分高端料号突破 20%，调价窗口集中在 3-4 月，标志着功率半导体行业正式告别两年下行周期，迈入结构性景气新阶段。

功率半导体龙头，齐发涨价函

2 月 5 日，杭州士兰微电子股份有限公司向客户发布《价格调整通知函》，宣布将对部分器件类产品价格进行上调，调整幅度为 10%，自 2026 年 3 月 1 日起正式生效。根据涨价函显示，此次涨价的产品主要涉及三类核心产品：包括小信号二极管 / 三极管芯片、沟槽 TMBS 芯片和MOS 类芯片。

2 月 24 日，宏微科技向客户发出 " 涨价通知函 "，宣布将对 IGBT 单管及模块、MOSFET 器件进行调价，2026 年 3 月 1 日实施。

继士兰微、宏微科技后，国产功率半导体厂商新洁能于 2026 年 2 月 25 日发布价格调整通知，宣布对 MOSFET 产品涨价 10% 起，3 月 1 日起发货生效。

同日捷捷微电宣布，对其MOS 系列产品提价 10%-20%，自 2026 年 2 月 1 日起，新发 MOS 成品均按新价格执行。

除了上述几家公司，华润微电子也正式发布重磅价格调整公告，明确自 2026 年 2 月 1 日起，对公司全系列微电子产品启动价格上调，上调幅度最低 10%。华润微主要产品包括以 MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品，以光电传感器、烟报传感器、MEMS 传感器为主的传感器产品，和以 MCU 为代表的智能控制产品等。

全球分立半导体与无源元件龙头Vishay亦传出涨价消息。因关键原材料成本持续大幅攀升，公司将对MOSFET 及 IC 产品线实施紧急价格调整，以缓解成本压力、保障供应稳定。

从涨价幅度来看，多数厂商调整幅度为 10% 起，涨价产品主要为 MOSFET 产品。值得注意的是，2 月初英飞凌已宣布，自 4 月 1 日起上调功率开关及相关芯片价格。

那么，MOSFET 价格为何会密集上调？

MOSFET，因何进入涨价周期？

从供给端来看，MOSFET 的涨价首先源于成本端的刚性挤压，且这种压力已穿透 " 原材料 - 制造 - 封装 " 全产业链，企业内部消化空间基本耗尽。

封装环节的材料成本首当其冲。对于中低压 MOSFET 等成熟产品，封装成本或超 50%，而铜、银、钯等关键贵金属在封装材料中占比极高。市场数据显示，截至 2026 年 1 月 27 日收盘，国际银价达到每盎司 112.14 美元，相比 2025 年初涨幅 282%； 锡价每吨 54876 美元，涨幅 89%； 铜价每吨 13024 美元，涨幅 48%。 这些基础材料的价格波动，直接冲击了 MOSFET 的生产底线。

晶圆代工环节的涨价则进一步加剧成本压力。MOSFET 主要依赖 8 英寸成熟制程，而 8 英寸晶圆代工价格的上涨，并非短期突发现象，而是自 2025 年下半年以来逐步发酵、持续蔓延的行业趋势。台积电、三星等国际大厂逐步将 8 英寸产线转向 CIS、电源管理芯片等高毛利产品，甚至关停部分老旧产线；中芯国际已向部分客户发出涨价通知，对部分产能实施约 10% 的价格上调，世界先进等代工大厂也迅速跟进。对于 Fabless 模式的 MOSFET 企业，上游提价直接挤压了核心利润空间。

与此同时，尽管国产特色工艺代工厂开放 90nm – 180nm BCD 平台，但高压 MOSFET 所需深沟槽、厚外延、背面工艺等模块尚未完全成熟，高端 MOSFET 产能持续吃紧。

再从需求端来看，单纯的成本推动难以支撑全行业涨价落地，真正的核心动力来自下游应用市场的需求爆发。

过去两年，尽管消费电子疲软拖累中低压 MOSFET 需求，但新能源车、光伏储能、AI 服务器电源三大高增长赛道对高压 MOSFET 的需求持续超预期。

在新能源汽车市场，随着 800V 高压平台加速渗透，OBC（车载充电机）、DC-DC 转换器、热管理系统对 650V/750V 超结 MOSFET 需求激增。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能均需使用 MOSFET，根据英飞凌数据，未来中高端车型中 MOSFET 单车用量将有望增至 400 个。

在光伏与储能市场，随着组串式逆变器向更高功率密度演进，1200V Trench MOSFET 成为主流；户用储能系统对高效率、小体积 AC-DC 拓扑提出新要求，推动 SGT（Split-Gate Trench）MOSFET 用量翻倍。

在 AI 服务器市场，2026 年全球八大云端服务供应商（CSP）的资本支出预计将突破 7100 亿美元，年增率高达 61%。这一增长主要得益于云服务巨头们对 AI 应用的不断投资，推动了 AI 服务器及相关基础设施的建设。与传统服务器相比，单台 AI 服务器的功率密度提升 3-5 倍，对高压 MOSFET、电源管理 MOSFET 的需求量呈指数级增长，直接拉动高端料号需求紧张。英飞凌也在涨价通知中明确提及，AI 数据中心的缺货压力是调价的重要原因。

此外，人形机器人商业化加速，成为高压 MOSFET 新增长极。其功率驱动与电源管理单元对器件动态响应、功率等级等要求严苛，推动高端产品技术迭代。

本次 MOSFET 密集涨价，绝非短期供需失衡的偶然结果，而是行业周期、技术迭代与产业竞争共同作用的必然。

MOSFET 竞争，进入新阵地

从技术迭代来看，MOSFET 正处于 " 硅基升级 + 宽禁带演进 " 的双重变革期。

硅基 MOSFET 方面，FinFET 之后的 GAA（全环绕栅极）技术逐步落地，成为延续 CMOS 缩放的核心方向，通过结构优化提升电学控制能力，降低寄生损耗，适配高端场景需求；而宽禁带半导体中的碳化硅（SiC）MOSFET，凭借耐高压、低损耗、耐高温的优势，在新能源汽车 800V 平台、高端光伏逆变器等场景快速渗透。

长期以来，英飞凌、Vishay、安森美、意法半导体等国际巨头凭借数十年技术积累、完整产品线布局及严苛质量管控，在高端 MOSFET 市场形成绝对垄断，尤其在车规级、工业级高压料号领域，优势难以撼动。其核心竞争力并非单纯的技术领先，更在于长期沉淀的客户认证壁垒与供应链协同能力——车规级 MOSFET 需通过 AEC-Q101、ISO 26262 等严苛认证，认证周期长达 18-36 个月，海外巨头凭借先发优势，已深度绑定全球主流车企与工业设备厂商，形成 " 认证 - 供货 - 迭代 " 的闭环，构建起国产厂商短期内难以突破的竞争壁垒。

其中，英飞凌 CoolSic 产品线全年营收达 15.3 亿欧元，同比增长 52%，占公司总营收的 12.7%。其位于马来西亚居林的 12 英寸 SiC 晶圆厂于去年第二季度实现满产，月产能达 2 万片，成为全球首个大规模量产 12 英寸 SiC 晶圆的企业，被 Yole 评价为 " 开启了碳化硅成本下降的新拐点 "。

国产 MOSFET 厂商呈现 " 头部突围、尾部出清 " 的分化态势，以华润微、新洁能、士兰微、闻泰科技（安世半导体）、比亚迪半导体为代表的本土龙头，正从中低压领域向高压、车规级领域加速渗透，逐步打破海外垄断，成为行业格局重构的核心力量。这些龙头企业凭借持续的研发投入与 IDM 模式优势，逐步突破深沟槽、厚外延等核心工艺，在中低压 MOSFET 领域实现规模化应用，市占率持续提升。

2025 年全球功率 MOSFET 管排名前 10 的供应商排名暂未披露，但从 2024 年的排名中可以看到，前十家公司分别为：英飞凌、安森美半导体、意法半导体、恩智浦、安世半导体、威世、东芝、万代半导体、华润微电子、士兰微电子、博世、瑞萨电子。

可以看到，2024 年全球功率 MOSFET 管主要供应商中，两家国产功率半导体公司保持在排名前 10 位，而且排名出现了上升，这表明国产功率 MOSFET 管公司的产品竞争力有所增加。

2025 年，国内碳化硅器件技术呈现两大突破：一是高耐压芯片量产落地，比亚迪半导体推出全球首款可批量装车的 1500V 高耐压大功率碳化硅芯片；二是大尺寸晶圆产能释放，株洲中车中低压功率器件产业化项目完成 8 英寸碳化硅晶圆线通线。

企业层面进展同步推进。华润微 2025 年碳化硅相关产线基本实现满产，最新一代 MOS G4 产品已推向市场，并获得各行业标杆客户的认可与批量使用，主驱模块已实现批量上车。士兰微则坦言，子公司士兰明镓因 6 英寸 SiC 芯片产线处于爬坡期，前期产出少、折旧高、原材料成本高，叠加市场价格大幅下滑，导致 2025 年经营性亏损扩大。不过，公司已开发多规格 SiC 芯片覆盖汽车、新能源、工业等需求，2025 年下半年产出逐步提升，预计 2026 年实现满产。近日，华润微发布业绩快报，2025 年度实现营业总收入 110.54 亿元，同比增长 9.24%；净利润 6.61 亿元，同比下降 13.26%。士兰微也发布 2025 年年度业绩预告。预计 2025 年度实现归母净利润为 3.30 亿元到 3.96 亿元，同比增长 50% 到 80%。