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中芯国际用DUV光刻机+创新方案,做出了媲美台积电3nm先进制程性能的芯片,把差距缩短到了两年以内
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关于中芯国际的一个产业逻辑,中信建投 人工智能首席于方博:

核心一句话:中芯国际用 DUV 光刻机 + 创新方案,做出了媲美台积电 3nm 先进制程性能的芯片,把差距 # 缩短到了两年以内。

产品层面:华为下一代手机 Mate 90,搭载的芯片是 9050,这款芯片由中芯国际加工,用的是非常创新的技术方案。

目前测试结果非常超预期,性能比苹果高端的 A18 芯片(24 年 9 月发布)要强,跟台积电用 3nm 先进制程做的 N31 芯片性能差不多。

技术方案:中芯国际用的并不是最高端的光刻机(DUV 级别),但通过 3D IC 堆叠方案实现了突破。

具体就是上面一块 N+3 芯片,下面一块 N+2 芯片,中间用垂直堆叠的 Hybrid Bonding(混合键合)技术做互联。

近期:周末有个 IEE 大会,看华为会不会在会上公开讲这个事情。如果讲了,情绪可能直接起来一波。

远期:最晚到 9 月份 Mate 90 上市,等大家意识到芯片的厉害之处,也会炒。

最核心受益:就是 # 中芯国际本身,逻辑最正,也适合大资金参与,目前位置还没创新高。

设备环节(多数是映射,实际外采为主):

键合设备:纯增量环节,映射标的是 # 拓荆科技(中芯国际自己用的键合设备是外采的,不是国内)。

CMP 减薄设备:3D 堆叠后芯片变厚,需要减薄,映射标的 # 华海清科。

检测设备:2D 转 3D 后复杂度大幅增加,检测环节变多。确实用到了 # 长川科技的设备,但大头还是外采,只有小部分用长川。

散热环节:这款芯片发热比较严重,散热需求大。Mate 90 散热采购招标里,# 飞荣达份 额最大,可以关注。

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