AI 算力需求正在改变半导体行业的增长方式。过去几十年，芯片性能提升主要靠摩尔定律：晶体管做得更小、密度更高。但先进制程继续微缩后，金属间距、功耗、漏电、散热、良率和成本都开始逼近边界，单纯押注 " 更小节点 " 已经不够。

据追风交易台，野村证券亚太科技分析师 Donnie Teng 团队在研报中提出，半导体行业的增长逻辑已从晶体管密度提升，转向 "3D 晶体管、背面供电与多元新材料的组合创新 "。这句话是整篇研究的核心：AI 不是只拉动 GPU 需求，而是在倒逼芯片制造的底层工艺重写。

更直接的投资含义是，过去被视为配套环节的材料、耗材、基板、特种气体、化合物半导体，正在变成决定先进芯片性能的关键变量。尤其从 2027 年开始，背面供电、晶圆键合 NAND、玻璃核心基板、光子 SOI 等技术进入放量期，材料环节可能迎来一轮系统性重估。

台积电仍是这条链条里最重要的放大器。先进产能扩张、SoIC 混合键合、高 NA EUV 导入、本土化采购比例提升，都会把订单传导到设备、材料和零部件公司。与上一轮半导体周期不同，这一轮不是单一制程升级，而是结构、封装、材料同时切换。

摩尔定律没失效，但 " 只靠缩小 " 已经不够了

先进制程的问题，不是不能继续往前走，而是代价越来越高。

从 7nm 到 3nm，再到下一代节点，金属间距继续压缩会带来更严重的功耗、漏电和散热问题。低 NA EUV 和 DUV 的图形化能力也受限，多重曝光可以解决一部分精度问题，但成本和良率压力随之上升。

所以先进逻辑芯片开始转向更复杂的结构创新。GAA 环绕栅极晶体管会继续向堆叠式 cFET 演进，核心目标是提高栅极对沟道的控制能力，同时提高集成度。

背面供电则更像是一次 " 布线方式重排 "。供电网络从晶圆正面移到背面，和信号网络分离，通过更宽、更低阻的金属线路供电，降低 IR 压降，也减少后端布线拥堵。这给标准单元继续缩小留下空间。

这些变化不是概念，对工艺用量有直接拉动。先进制程芯片的 CMP 步骤会从传统工艺的 45-55 步增加到 55-70 步，增幅约 20%-30%。背面供电还需要两片晶圆叠加，晶圆消耗量接近翻倍，晶圆减薄、研磨、键合需求都会同步上来。

时间点也很关键：相关设备和材料需求从 2026 年开始启动，2027 年进入快速放量期，2030 年有望成为先进芯片标配。

高 NA EUV 真正拉开的，是光刻材料升级

高 NA EUV 是下一代先进制程的核心装备。数值孔径从 0.33 提升到 0.55，分辨率提升至 8nm，目标是消除 3nm 以下节点的多重曝光需求，最早 2029 年进入大规模量产。单台设备价格超过 4 亿美元。

但高 NA EUV 不是买设备就能解决问题。更高数值孔径意味着光子以更浅角度入射晶圆，光刻胶层必须更薄，否则会出现阴影效应。传统化学放大型光刻胶在超薄条件下，抗蚀刻能力、光子吸收效率、图形精度都不够。

金属氧化物光刻胶因此成为关键材料。它以金属氧化物为核心，具备更强蚀刻选择性、更高分辨率和更好的粗糙度控制，更适配高 NA 工艺。

价值量变化很明显：现有 EUV 光刻胶价格约 5000 美元 / 加仑，高 NA EUV 专用金属氧化物光刻胶可达 1 万至 4 万美元 / 加仑，单价提升 2 至 8 倍。

光刻材料的升级也不止光刻胶。掩膜版材料同样要替换，传统钽基吸收层难以适配高 NA 工艺的反射角度要求，钌、钼基材料成为替代方向。显影液、清洗液、底部抗反射涂层、边缘剥离液等配套材料，也会跟着升级。

先进封装的下一场竞争，可能在玻璃基板

AI 芯片越来越依赖先进封装，因为单颗芯片继续做大、继续堆算力，会碰到功耗、互联、散热和制造良率的多重限制。

SoIC 混合键合会在 2026 至 2027 年迎来需求激增，主要用于 AI 芯片与 HBM 的高密度集成。相比传统微凸块工艺，混合键合实现 Cu-Cu 直接连接，互联密度提升一个数量级，带宽从 200GB/s 提升至 1TB/s。

它对工艺要求很高：晶圆表面平坦度要控制在纳米级，CMP 成为关键步骤；键合设备精度要求低于 0.2 微米；清洗、表面活化、对位都要升级。Besi 作为芯片级与晶圆级混合键合设备龙头，订单从 2026 年开始快速回升，受 AI 芯片、光通信、HBM 拉动。

封装基板也在换材料。玻璃核心基板相比传统 ABF 有机基板，热膨胀系数更低、平整度更高、散热更好、信号损耗更低，更适合大尺寸、高功耗、高速信号芯片。

路径假设中，博通有望在 2027 年率先把玻璃核心基板用于交换 ASIC，英特尔也将其作为下一代先进封装核心材料推进研发。不过玻璃基板还没有完全跑通，大规模量产仍受成本偏高、RDL 介质层剥离与分层、良率爬坡等问题约束。

真正的工艺难点在 TGV 玻璃穿孔。激光钻孔、蚀刻、金属填充、平坦化决定最终性能。Ingentec 等具备 TGV 专利技术的企业，正在切入这条供应链。

光通信把化合物半导体推到台前

AI 数据中心的瓶颈不只在 GPU，也在通信。高速光模块和 CPO 共封装光学推动光通信产业链上行，1.6T 模块普及和硅光迁移成为两条主线。

磷化铟衬底用于 EML 与 CW 激光芯片，是光模块核心材料。受铟金属出口管控和生产良率瓶颈影响，2025 至 2027 年磷化铟持续供给紧张，价格维持高位。

另一条路线是光子 SOI 晶圆，用于硅光集成芯片 PIC。它的成本仅为磷化铟衬底的 25%，更适合规模化量产，是 CPO 方案的核心材料。Soitec 占据全球光子 SOI 晶圆 70% 市场份额，环球晶圆、沪硅产业等企业正在跟进。

到 2027 年，光子 SOI 需求进入快速上行期，成为 SOI 晶圆板块最重要的增长动力。

12 英寸硅片供需，2027 年开始变紧

随着 AI 带来的制造工艺变化，会重新推高硅片需求。

常规市场需求年均增长约 5%。台积电、三星、英特尔扩产，每年再带来 2-3 个百分点需求增量。背面供电、晶圆键合 NAND、光子 SOI 三大新技术，还会额外贡献每年 2-3 个百分点需求。

合计看，12 英寸硅片整体年均需求增速接近 10%。

供给端没那么快。硅片产能扩张受设备交期和资本开支节奏限制，很难立刻跟上需求。2027 年起供需缺口逐步显现，环球晶圆、信越、SUMCO 等头部企业议价能力修复，长约价格持续上调。晶圆再生、测试片等配套业务也会受益。

台积电扩产和本土化采购，是供应链放量的催化剂

台积电 2027 年资本开支有望达到 700 亿美元，全球 26 座先进晶圆厂与封装基地推进扩产，其中 18 座位于中国台湾省，美国、日本、德国工厂同步爬坡。

先进产能释放，会直接拉动设备、材料、零部件需求。更重要的是，台积电持续提高设备、零部件、材料的本土与区域采购比例，覆盖原材料、零部件、耗材、厂区设备等类别。

这给区域供应商打开认证导入窗口。光刻配套、CMP 耗材、特种气体、硅片、封装材料，是本土化采购的重点方向。中国台湾省和大陆材料企业如果能通过认证，份额提升速度会明显快于普通周期。

产业落地节奏清晰，2027 年成为全产业链拐点

这条产业链的节奏可以压缩成几个时间点：

2026 年，GAA 晶体管、SoIC 混合键合、InP 衬底启动，小批量供货开始出现。

2027 年，背面供电、晶圆键合 NAND、玻璃核心基板集中起量，进入更大规模量产阶段。

2028 年，DRAM-on-logic 架构进入规模化应用，边缘 AI 与汽车电子成为驱动力。

2029 至 2030 年，高 NA EUV 量产，金属氧化物光刻胶、新型掩膜版材料全面导入。

材料环节过去十年跑输设备，一个原因是 AI 芯片高单价更容易抬高整机和设备链条收入，另一个原因是摩尔定律时代更利好设备，材料需求在行业下行期波动更大。现在变化来了：3D 结构、新材料、先进封装同时推进，材料单耗和价值量都在上升。

这轮变化最值得重视的地方在于：AI 没有只带来一轮 GPU 景气，而是把半导体制造从 " 制程微缩 " 推向 " 结构创新 + 材料替换 + 先进封装 "。从硅片到玻璃基板，从 GPU 到光通信，产业链的价值分配正在被重新写一遍。