6 月 4 日，存储芯片板块逆市大涨，其中兆易创新（603986.SH）、佰维存储（688525.SH）等多家公司涨超 5%，大为股份（002213.SZ）、太极实业（600667.SH）涨停。消息面上，6 月 3 日，韩国 SK 集团董事长表示，SK 海力士计划在未来五年将晶圆产能扩大一倍，全球晶圆短缺的状况可能会持续到 2030 年。同日，TrendForce 集邦咨询上调第一季度 DRAM 和 NAND Flash 合约价涨幅预测，其中常规 DRAM 合约价从季增 55%-60% 调整为 90%~95%，NAND Flash 从 33%~38% 上调至 55%~60%。

据私募排排网，从产业链角度看，存储芯片涉及的四大核心环节——存储原厂及芯片设计、主控芯片、模组及封测、设备材料——目前均处于供需紧张状态，但各环节的受益逻辑与持续性存在显著差异。

本轮景气传导的顺序大致为：AI 服务器需求爆发→原厂及芯片设计业绩爆发→模组与封测厂商承接涨价红利→设备与材料企业进入扩产受益阶段。

据私募排排网整理的存储芯片产业链 A 股名单，原厂及设计公司环节包括华虹公司（688347.SH）、兆易创新、澜起科技（688008.SH）、普冉股份（688766.SH）、恒烁股份（688416.SH）、北京君正（300223.SZ）、中芯国际（688981.SH）、聚辰股份（688123.SH）、上海贝岭（600171.SH）、东芯股份（688110.SH）；主控芯片环节包括万通发展（600246.SH）、江波龙（301308.SZ）、联芸科技（688449.SH）、德明利（001309.SZ）；模组与封测环节包括立和兴、深科技（000021.SZ）、太极实业、华天科技（002185.SZ）、通富微电（002156.SZ）、长电科技（600584.SH）、佰维存储、朗科科技（300042.SZ）等；设备与材料环节包括中巨芯 -U（688549.SH）、江化微（603078.SH）、XD 拓荆科（688072.SH）、盛美上海（688082.SH）、雅克科技（002409.SZ）、华海清科（688120.SH）、立昂微（605358.SH）、麦捷科技（300319.SZ）、沪硅产业（688126.SH）、华特气体（688268.SH）、长川科技（300604.SZ）等。

目前，全球存储超级周期的狂欢，已在资本市场上演了历史性的一幕。2026 年 5 月，韩国存储巨头 SK 海力士、三星电子相继突破万亿美元市值大关。作为英伟达（NVDA.US）AI 算力核心供应链的枢纽，SK 海力士过去一年股价飙升约 900%，其中今年来涨幅约为 263%。根据 Counterpoint Research 的数据，SK 海力士今年第一季度在全球 HBM 市场上占据了 58% 的份额，三星和美光各占 21% 的份额。数据显示，美股美光科技（MU.US）2026 年累计上涨 278%，股价亦创下历史新高。

与此同时，在这场由国际巨头主导的高端产能竞赛中，全球存储格局正在经历剧烈重构。DRAM 全球三大存储原厂 SK 海力士、三星和美光加速向利润丰厚的 HBM 倾斜产能—— TrendForce 预计，HBM 占全球 DRAM 总投片量的比例已从两年前的 8% 激增至 23%。这种对通用 DRAM 的 " 结构性抽血 "，正在全球庞大的中端市场撕开一个巨大的供给缺口。

在此背景下，国产存储厂商迎来 " 国产替代 " 黄金窗口期，国内存储龙头正加速突围。

目前，长鑫存储正向全球市场发起冲击。根据 TrendForce 数据，其全球 DRAM 产能份额已从两年前的不足 5% 增长到 2026 年的约 8%。公司于 5 月 27 日科创板 IPO 过会，拟募资 295 亿元，为科创板史上第二大 IPO。

与此同时，长江存储在 2026 年一季度的全球 NAND 市场份额已攀升至约 13%，同比增幅高达 246%，已追平美光、闪迪（SNDK.US）等国际竞品。公司已于 5 月 19 日启动 IPO 辅导，市场预测估值约 3000 亿元。