SK 海力士与闪迪联合发布了业界首个高带宽闪存（HBF）标准，旨在加速这一新型存储技术的普及，弥合高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间日益扩大的性能与容量鸿沟。

该规范定义的 HBF 产品容量最高可达 512GB，带宽范围约为每秒 0.4TB 至 3TB。HBF 结合了 NAND 闪存的大容量优势与接近 DRAM 基 HBM 的数据传输速度，在 AI 服务器数据层级中，填补了传统内存与存储之间的空白。

随着复杂 AI 推理工作负载对数据访问速度和更大内存池提出双重需求，两家公司将此技术定位为缓解瓶颈的关键方案。该标准是今年 2 月成立的 HBF 联盟的首项重大成果。目前，谷歌及 AI 芯片初创公司 Tenstorrent 也已加入该联盟。

据 SK 海力士介绍，该规范涵盖采用 8 层或 16 层 NAND 堆叠的产品，并将带宽划分为三个性能等级。此外，规范采用通用小芯片互连高速接口（UCIE），使 HBF 设备能够连接 GPU 和 CPU 等不同处理器。双方通过开放计算项目（OCP）公布这些规范，使其成为开放的行业标准，并概述了电气特性、封装可靠性指南及软件 I/O 要求。

构建分层内存架构

当前，芯片制造商和技术公司正寻找能支持智能体 AI 系统的新内存架构，以应对海量数据及对模型、数据库快速访问的需求。SK 海力士指出，单一类型内存已无法满足速度、容量、能效和成本间的平衡需求，因此正推广一种 " 分层内存 " 架构，将 HBM、HBF、DRAM 和存储产品连接，按性能需求分配数据。

SK 海力士解决方案开发负责人金春成表示："HBF 将扩展内存与存储之间的边界，并为提高整体系统效率的新架构做出贡献。" 金春成与下一代产品规划负责人姜宇成计划在 "2026 年内存与存储未来大会 "（FMS）上发表关于分层内存战略的主题演讲。周四，来自 SK 海力士、闪迪和谷歌 DeepMind 的高管还将举行小组讨论，探讨利用 HBF 克服制约 AI 计算的 " 内存墙 " 问题。

新一代 NAND 技术亮相

SK 海力士还将在大会上首次展示其第十代 375 层 4D NAND 技术。该公司表示，新产品的每瓦性能比上一代提升了 2.5 倍。据悉，该公司计划明年年初开始量产采用新一代 NAND 技术的高性能、大容量企业级 SSD，主要面向功耗密集的 AI 数据中心。

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